[發明專利]二氧化硅層的制備方法

在審

• 申請號: 201880073579.0
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN111344070A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 吳賢澤;申昌訓;樸光承;樸文洙
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: B05D5/06
• 分類號: B05D5/06;G02B1/113;C09D5/00;C09D7/40;B05D3/02;B05D7/24;B01J31/02;B01J27/06
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 李靜;張云志

1.一種二氧化硅層的制備方法，包括使由包含二氧化硅前體、酸催化劑和表面活性劑的前體組合物形成的前體層進行膠凝的步驟。

2.根據權利要求1所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述二氧化硅前體是下面式D或式E的硅烷化合物、所述硅烷化合物的水解產物或所述硅烷化合物的縮合反應產物：

[式D]

SiR¹_(4-n)(OR²)_n

其中，R¹是氫、烷基、烯基、芳基、芳基烷基、環氧基或(甲基)丙烯酰氧基烷基，R²是具有1至4個碳原子的烷基、具有6至12個碳原子的芳基或氫原子，n是3或4：

[式E]

其中，L是選自亞烷基和亞芳基中的任意一種或它們中的兩種或更多種的組合的二價連接基團，R₃至R₈各自獨立地是具有1至4個碳原子的烷基、具有1至4個碳原子的烷氧基、具有6至12個碳原子的芳基或氫原子。

3.根據權利要求1所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述前體組合物包含比例在5重量％至60重量％的范圍內的二氧化硅前體。

4.根據權利要求1所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述前體組合物還包含溶劑。

5.根據權利要求4所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述溶劑是水性溶劑和有機溶劑的混合溶劑。

6.根據權利要求1所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述表面活性劑在所述前體層或所述前體組合物中形成膠束。

7.根據權利要求1所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述前體組合物還包含溶劑，并且所述表面活性劑的濃度被調節為所述溶劑的臨界膠束濃度的1倍至5倍的范圍內。

8.根據權利要求1所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述表面活性劑是陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑或非離子表面活性劑。

9.根據權利要求1所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述膠凝通過使所述前體層與pKa為8以下的胺化合物接觸來進行。

10.根據權利要求1所述的二氧化硅層的制備方法，其中，所述前體組合物還包含潛在堿生成劑，并且所述膠凝通過由所述潛在堿生成劑產生堿來進行。