[發明專利]判定圖樣的臨界尺寸變化

在審

• 申請號: 201880073469.4
• 申請日: 2018-10-01
• 公開（公告）號: CN111344851A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 瓦迪姆·維列斯卡金;羅馬·克里斯;伊謝·施瓦茨班德;波阿斯·科恩;阿里爾·沙卡林;葉夫根尼·巴爾
• 申請（專利權）人: 應用材料以色列公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G06T7/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

可接收圖樣的參考圖像和圖樣的捕獲圖像?？勺R別圖樣的感興趣的輪廓?？蓪γ恳粎⒖紙D像和捕獲圖像針對圖樣的感興趣輪廓，判定圖樣的尺寸的一個或多個測量結果。可基于對每一參考圖像和捕獲圖像所判定的圖樣尺寸的一個或多個測量結果，來分類相關聯于感興趣輪廓的缺陷。

技術領域

本公開內容涉及臨界尺寸，且更特定而言，涉及判定圖案的臨界尺寸變化。

背景技術

集成電路在半導體晶片上的生產或制造的演進，利用越來越小的設計元件以實施集成電路。例如，集成電路可被實施在半導體晶片上，作為一個或多個設計元件的圖樣對應于集成電路的不同部分。生產或制造工藝可造成半導體晶片上的集成電路的一個或多個缺陷。可通過測量對應于集成電路的不同部分的設計元件的圖樣的尺寸，以識別和/或分類這種缺陷。

發明內容

下文為公開內容的簡化概要，以提供對于公開內容的一些方面的基本了解。本概要并非公開內容的延伸性綜觀。本概要并不意為識別公開內容的關鍵或臨界元素，也不意為劃定公開內容的特定實施方式的任何范圍或權利要求書的任何范圍。本概要唯一的目的，僅為由簡化形式呈現公開內容的一些概念，而作為下文呈現的更詳細說明的前言。

在實施方式中，可接收圖樣的捕獲的圖像?？山邮請D樣的參考圖像。可識別圖樣的感興趣的輪廓?？蓪γ恳粎⒖紙D像和捕獲圖像針對圖樣的感興趣輪廓，判定圖樣的尺寸的一個或多個測量結果。可基于對每一參考圖像和捕獲圖像所判定的圖樣尺寸的一個或多個測量結果，來分類相關聯于感興趣輪廓的缺陷。

在一些實施方式中，感興趣輪廓對應于相關聯于缺陷的圖樣的變形的位置。

在一些實施方式中，判定圖樣的尺寸的一個或多個測量結果進一步包括判定在圖樣的特定點處對沿著捕獲圖像中圖樣的感興趣輪廓的多個點的第一多個測量結果，其中第一多個測量結果的每一個對應于從特定點到沿著捕獲圖像中感興趣輪廓各別點的距離。此外，判定在圖樣的特定點處對沿著參考圖像中圖樣的感興趣輪廓的多個點的第二多個測量結果，其中第二多個測量結果的每一個對應于從特定點到沿著參考圖像中感興趣輪廓的各別點的距離。

在一些實施方式中，沿著感興趣輪廓的多個點相關聯于從圖樣的特定點到感興趣輪廓的不同的方向。

在一些實施方式中，方法進一步包含：基于來自第一和第二多個測量結果的一對測量結果，判定對于每一各別點沿著感興趣輪廓的臨界尺寸參數值。

在一些實施方式中，基于臨界尺寸參數值來分類缺陷，臨界尺寸參數值具有在來自相關聯于捕獲圖像的第一多個測量結果的各別測量結果，與來自相關聯于參考圖像的第二多個測量結果的另一各別測量結果的最大差異。

在一些實施方式中，基于距離轉換函數來判定一個或多個測量結果。

附圖說明

根據下文所述詳細描述以及公開內容的各種實施方式的附加附圖，將可更完整了解本公開內容。

圖1A圖示說明用于判定圖樣的臨界尺寸(CD)變化的范例系統的方塊圖。

圖1B圖示說明根據一些實施方式的用于判定圖樣的臨界尺寸變化的范例方法的流程圖。

圖2A圖示說明根據本公開內容的一些實施方式的半導體晶片的范例圖樣。

圖2B圖示說明根據本公開內容的一些實施方式的半導體晶片的另一范例圖樣。

圖2C圖示說明根據本公開內容的一些實施方式的半導體晶片的另一范例圖樣。

圖2D圖示說明根據本公開內容的一些實施方式的半導體晶片的另一范例圖樣。

圖2E圖示說明根據本公開內容的一些實施方式的半導體晶片的另一范例圖樣。

圖2F圖示說明根據本公開內容的一些實施方式的半導體晶片的另一范例圖樣。