[發明專利]判定圖樣的臨界尺寸變化在審
| 申請號: | 201880073469.4 | 申請日: | 2018-10-01 |
| 公開(公告)號: | CN111344851A | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發明(設計)人: | 瓦迪姆·維列斯卡金;羅馬·克里斯;伊謝·施瓦茨班德;波阿斯·科恩;阿里爾·沙卡林;葉夫根尼·巴爾 | 申請(專利權)人: | 應用材料以色列公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G06T7/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 以色列*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 判定 圖樣 臨界 尺寸 變化 | ||
1.一種方法,包含以下步驟:
接收圖樣的捕獲圖像;
接收所述圖樣的參考圖像;
識別所述圖樣的感興趣輪廓,
由處理裝置對于所述參考圖像和所述捕獲圖像的每一個,針對所述圖樣的所述感興趣輪廓判定所述圖樣的尺寸的一個或多個測量結果;和
基于對于所述參考圖像和所述捕獲圖像的每一個所判定的所述圖樣的所述尺寸的一個或多個測量結果,分類相關聯于所述感興趣輪廓的缺陷。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述感興趣輪廓對應于相關聯于所述缺陷的所述圖樣的變形的位置。
3.如權利要求1所述的方法,其中判定所述圖樣的所述尺寸的所述一個或多個測量結果進一步包含以下步驟:
判定在所述圖樣的特定點處對沿著所述捕獲圖像中所述圖樣的所述感興趣輪廓的多個點的第一多個測量結果,其中所述第一多個測量結果的每一個對應于從所述特定點到沿著所述捕獲圖像中所述感興趣輪廓的所述各別點的距離;和
判定在所述圖樣的所述特定點處對沿著所述參考圖像中所述圖樣的所述感興趣輪廓的多個點的第二多個測量結果,其中所述第二多個測量結果的每一個對應于從所述特定點到沿著所述參考圖像中所述感興趣輪廓的所述各別點的距離。
4.如權利要求3所述的方法,其中沿著所述感興趣輪廓的所述多個點相關聯于從所述圖樣的所述特定點到所述感興趣輪廓的不同的方向。
5.如權利要求3所述的方法,其中所述方法進一步包含以下步驟:
基于來自所述第一和第二多個測量結果的一對測量結果,判定對于每一各別點沿著所述感興趣輪廓的臨界尺寸參數值。
6.如權利要求5所述的方法,其中基于所述臨界尺寸參數值來分類所述缺陷,所述臨界尺寸參數值具有在來自相關聯于所述捕獲圖像的所述第一多個測量結果的各別測量結果,與來自相關聯于所述參考圖像的所述第二多個測量結果的另一各別測量結果的最大差異。
7.如權利要求1所述的方法,其中基于距離轉換函數來判定所述一個或多個測量結果。
8.一種系統,包含:
存儲器;和
處理裝置,所述處理裝置可操作地耦接于所述存儲器,以:
接收圖樣的捕獲圖像;
接收所述圖樣的參考圖像;
識別所述圖樣的感興趣輪廓,
對于所述參考圖像和所述捕獲圖像的每一個,針對所述圖樣的所述感興趣輪廓判定所述圖樣的尺寸的一個或多個測量結果;和
基于對于所述參考圖像與所述捕獲圖像的每一個所判定的所述圖樣的所述尺寸的一個或多個測量結果,分類相關聯于所述感興趣輪廓的缺陷。
9.如權利要求8所述的系統,其中所述感興趣輪廓對應于相關聯于所述缺陷的所述圖樣的變形的位置。
10.如權利要求8所述的系統,其中為了判定所述圖樣的所述尺寸的所述一個或多個測量結果,所述處理裝置進一步:
判定在所述圖樣的特定點處對沿著所述捕獲圖像中所述圖樣的所述感興趣輪廓的多個點的第一多個測量結果,其中所述第一多個測量結果的每一個對應于從所述特定點到沿著所述捕獲圖像中所述感興趣輪廓的所述各別點的距離;和
判定在所述圖樣的所述特定點處對沿著所述參考圖像中所述圖樣的所述感興趣輪廓的多個點的第二多個測量結果,其中所述第二多個測量結果的每一個對應于從所述特定點到沿著所述參考圖像中所述感興趣輪廓的所述各別點的距離。
11.如權利要求10所述的系統,其中沿著所述感興趣輪廓的所述多個點相關聯于從所述圖樣的所述特定點到所述感興趣輪廓的不同的方向。
12.如權利要求10所述的系統,其中所述處理裝置進一步:
基于來自所述第一和第二多個測量結果的一對測量結果,判定對于每一各別點沿著所述感興趣輪廓的臨界尺寸參數值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





