[發(fā)明專利]包含半導(dǎo)體裸片的多個(gè)瓦片式堆疊的半導(dǎo)體裝置組合件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880072433.4
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號(hào): CN111316436A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃宏遠(yuǎn);A·N·辛格
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L23/525;H01L23/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導(dǎo)體裝置組合件，其包括：

襯底，其包含多個(gè)外部連接件；

半導(dǎo)體裸片的第一瓦片式堆疊，其直接安置于所述襯底上的第一位置上方且經(jīng)電耦合到所述多個(gè)外部連接件的第一子組；

半導(dǎo)體裸片的第二瓦片式堆疊，其直接安置于所述襯底上的第二位置上方且經(jīng)電耦合到所述多個(gè)外部連接件的第二子組；及

囊封劑，其至少部分地囊封所述襯底、所述第一瓦片式堆疊及所述第二瓦片式堆疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

半導(dǎo)體裸片的所述第一瓦片式堆疊通過第一多個(gè)線接合電連接到所述多個(gè)外部連接件的所述第一子組，且

半導(dǎo)體裸片的所述第二瓦片式堆疊通過第二多個(gè)線接合電連接到所述多個(gè)外部連接件的所述第二子組。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

所述襯底包含對(duì)應(yīng)于所述第一瓦片式堆疊的第一多個(gè)接合指部及對(duì)應(yīng)于所述第二瓦片式堆疊的第二多個(gè)接合指部，

所述第一多個(gè)接合指部中的每一者直接耦合到所述第一多個(gè)線接合中的僅一者，且

所述第二多個(gè)接合指部中的每一者直接耦合到所述第二多個(gè)線接合中的僅一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中所述第一瓦片式堆疊及所述第二瓦片式堆疊包含相同數(shù)目個(gè)半導(dǎo)體裸片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中所述數(shù)目是兩個(gè)、四個(gè)、八個(gè)或十六個(gè)中的一者。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

所述第一瓦片式堆疊包含所述第一瓦片式堆疊的最低半導(dǎo)體裸片及經(jīng)堆疊于所述第一瓦片式堆疊的所述最低半導(dǎo)體裸片上方的至少一個(gè)上半導(dǎo)體裸片，且

所述第一瓦片式堆疊的每一上半導(dǎo)體裸片沿第一方向從正下方半導(dǎo)體裸片偏移達(dá)第一偏移量。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

所述第二瓦片式堆疊包含所述第二瓦片式堆疊的最低半導(dǎo)體裸片及經(jīng)堆疊于所述第二瓦片式堆疊的所述最低半導(dǎo)體裸片上方的至少一個(gè)上半導(dǎo)體裸片，且

所述第二瓦片式堆疊的每一上半導(dǎo)體裸片沿第二方向從正下方半導(dǎo)體裸片偏移達(dá)第二偏移量。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中所述第一偏移量基本上等于所述第二偏移量。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中所述第一方向基本上等同于所述第二方向。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中所述第一方向與所述第二方向基本上相反。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中所述第一方向與所述第二方向基本上正交。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其進(jìn)一步包括至少一個(gè)I/O擴(kuò)充器，所述至少一個(gè)I/O擴(kuò)充器經(jīng)電耦合到所述多個(gè)外部連接件的第三子組。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

半導(dǎo)體裸片的所述第一瓦片式堆疊包括對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)器通道的存儲(chǔ)器裸片，且半導(dǎo)體裸片的所述第二瓦片式堆疊包括對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)器通道的存儲(chǔ)器裸片。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其進(jìn)一步包括：

半導(dǎo)體裸片的第三瓦片式堆疊，其直接安置于所述襯底上的第三位置上方且經(jīng)電耦合到所述多個(gè)外部連接件的第三子組；及

半導(dǎo)體裸片的第四瓦片式堆疊，其直接安置于所述襯底上的第四位置上方且經(jīng)電耦合到所述多個(gè)外部連接件的第四子組。