[發(fā)明專利]用于減少共端子晶體管中的串?dāng)_的布局

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880070783.7
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN111295754A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 維賈伊·克里希納穆爾蒂;阿比迪爾·拉赫曼;褚民;蘇阿爾普·阿拉斯
• 申請（專利權(quán)）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種微電子器件，包含：

半導(dǎo)體襯底；和

共端子晶體管，包括：

共節(jié)點，延伸到所述半導(dǎo)體襯底的第一表面；

第一溝道，具有在所述半導(dǎo)體襯底中的第一溝道節(jié)點；

第一感測晶體管，具有在所述半導(dǎo)體襯底中的與所述第一溝道節(jié)點相鄰的第一感測節(jié)點；

第二溝道，具有在所述半導(dǎo)體襯底中的第二溝道節(jié)點；以及

第二感測晶體管，具有在所述半導(dǎo)體襯底中的與所述第二溝道節(jié)點相鄰的第二感測節(jié)點；

其中所述第一感測晶體管位于第一感測位置，以便被配置成根據(jù)第一感測比提供第一感測電流，所述第一感測電流表示通過所述第一溝道的第一溝道電流，其中所述第一感測比相對于通過所述第二溝道的第二溝道電流具有小于目標(biāo)值的串?dāng)_，并且其中所述第二感測晶體管位于第二感測位置，以便被配置成根據(jù)第二感測比提供表示所述第二溝道電流的第二感測電流，其中所述第二感測比相對于所述第一溝道電流具有小于所述目標(biāo)值的串?dāng)_。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中所述第一溝道大于所述第二溝道。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子器件，其中所述第一感測晶體管的第一中心與所述第一溝道和所述第二溝道之間的中心點之間的第一橫向距離小于所述第二感測晶體管的第二中心與所述中心點之間的第二橫向距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中：所述第一溝道包括第一豎直晶體管；所述第一感測晶體管包括第二豎直晶體管；所述第二溝道包括第三豎直晶體管；以及所述第二感測晶體管包括第四豎直晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中：所述第一溝道包括第一MOS晶體管；所述第一感測晶體管包括第二MOS晶體管；所述第二溝道包括第三MOS晶體管；所述第二感測晶體管包括第四MOS晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微電子器件，其中所述第一感測晶體管的第一感測柵極電耦合至所述第一溝道的第一溝道柵極，并且所述第二感測晶體管的第二感測柵極電耦合至所述第二溝道的第二溝道柵極。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微電子器件，其中：所述共節(jié)點包括共漏極；所述第一溝道節(jié)點包括所述第一溝道的第一源極節(jié)點；所述第一感測節(jié)點包括所述第一感測晶體管的第二源極節(jié)點；所述第二溝道節(jié)點包括所述第二溝道的第三源極節(jié)點；以及所述第二感測節(jié)點包括所述第二感測晶體管的第四源極節(jié)點。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中：所述第一溝道包括第一雙極結(jié)型晶體管；所述第一感測晶體管包括第二雙極結(jié)型晶體管；所述第二溝道包括第三雙極結(jié)型晶體管；以及所述第二感測晶體管包括第四雙極結(jié)型晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中所述串?dāng)_的目標(biāo)值是1％。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中：

所述第一溝道在所述第一感測晶體管的至少三個側(cè)面上與所述第一感測晶體管橫向相鄰，其中所述側(cè)面中的兩個彼此相對；和

所述第二溝道在所述第二感測晶體管的至少三個側(cè)面上與所述第二感測晶體管橫向相鄰，其中所述側(cè)面中的兩個彼此相對。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子器件，其中所述微電子器件沒有補(bǔ)償電路，所述補(bǔ)償電路被配置成提供用于調(diào)節(jié)通過所述第一感測晶體管的第一感測電流的補(bǔ)償信號。