[發明專利]用于減少淺溝槽隔離中的錐體形成的選擇性蝕刻

在審

• 申請號: 201880070450.4
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN111295742A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: K·H·R·基爾姆澤;J·P·戴維斯
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種方法，其包括：

利用第一蝕刻參數在襯底的第一區域中蝕刻第一淺溝槽；以及

利用不同于所述第一蝕刻參數的第二蝕刻參數在所述襯底的位于所述第一區域之外的第二區域中蝕刻第二淺溝槽。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述第一蝕刻參數包含第一硅選擇性比率；并且

所述第二蝕刻參數包含第二硅選擇性比率，所述第二硅選擇性比率低于所述第一硅選擇性比率。

3.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述第一硅選擇性比率大于10；并且

所述第二硅選擇性比率小于5。

4.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述第一硅選擇性比率限定去除硅材料相對于去除包含氧化物材料、氮化物材料和碳氫化合物材料中的至少一種的蝕刻延緩劑的第一比率；并且

所述第二硅選擇性比率限定去除所述硅材料相對于去除包含所述氧化物材料、所述氮化物材料和所述碳氫化合物材料中的至少一種的所述蝕刻延緩劑的第二比率。

5.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述第一蝕刻參數包含第一偏置功率；并且

所述第二蝕刻參數包含高于所述第一偏置功率的第二偏置功率。

6.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述第一蝕刻參數包含所述第一淺溝槽的第一特征尺寸和所述第一區域的第一溝槽密度；并且

所述第二蝕刻參數包含所述第二淺溝槽的第二特征尺寸和所述第二區域的第二溝槽密度，所述第二特征尺寸大于所述第一特征尺寸，并且所述第二溝槽密度低于所述第一溝槽密度。

7.根據權利要求6所述的方法，其中：

所述第二淺溝槽的溝槽斜率大于85度。

8.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述蝕刻所述第一淺溝槽包含執行第一等離子體時間蝕刻；并且

所述蝕刻所述第二淺溝槽包含在所述蝕刻所述第一淺溝槽之前或之后執行第二等離子體時間蝕刻。

9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在所述蝕刻所述第一淺溝槽之前，在所述襯底之上圖案化第一掩模以部分地暴露所述第一區域并且覆蓋所述第二區域；

在所述蝕刻所述第一淺溝槽之后去除所述第一掩模；

在所述蝕刻所述第二淺溝槽之前，在所述襯底之上圖案化第二掩模以部分地暴露所述第二區域并且覆蓋所述第一區域；以及

在所述蝕刻所述第二淺溝槽之后去除所述第二掩模。

10.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在所述蝕刻所述第一淺溝槽和所述蝕刻所述第二淺溝槽之前，在所述第一區域和所述第二區域上方蝕刻介電層，

其中所述介電層包含氧化硅層、氮化硅層或碳氫化合物層中的至少一個。

11.一種方法，其包括：

利用第一硅選擇性比率在襯底的第一區域中蝕刻第一淺溝槽；以及

利用第二硅選擇性比率在所述襯底的位于所述第一區域之外的第二區域中蝕刻第二淺溝槽，所述第二淺溝槽的特征尺寸大于所述第一淺溝槽的特征尺寸，所述第二區域的溝槽密度低于所述第一區域的溝槽密度，所述第二硅選擇性比率低于所述第一硅選擇性比率。

12.根據權利要求11所述的方法，其中：

所述第一硅選擇性比率大于10；并且

所述第二硅選擇性比率小于5。