[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201880069502.6
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN111279466A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 蘆峰智行;中川博;村瀨康裕
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

半導體裝置(100)具備：半導體基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一電極(131)，設置于半導體基板(110)的第一主面(110A)側；電介質層(120)，設置在半導體基板(110)與第一電極(131)之間；第二電極(132)，設置于半導體基板(110)的第二主面(110B)側；以及電阻控制層(160)，設置在半導體基板(110)與第二電極(132)之間。電阻控制層(160)具備：將半導體基板(110)和第二電極(132)電連接的第一區域(161)；以及與第一區域(161)并排且比第一區域(161)電阻率高的第二區域(162)。

技術領域

本發明涉及包含電容部和電阻部的半導體裝置。

背景技術

具有電容部以及電阻部的半導體裝置例如由摻雜了雜質的半導體基板、設置在半導體基板的第一主面的電介質層、設置在電介質層之上的導電性的第一電極、以及設置在半導體基板的第二主面的導電性的第二電極形成。此時，與第一電極以及第二電極相比，半導體基板的電阻較高，所以半導體基板作為電阻部發揮作用，電介質層作為形成靜電電容的電容部發揮作用。電阻部根據半導體裝置的尺寸，即半導體基板的面積、厚度來決定電阻。因此，半導體裝置難以作為具有適當的靜電電容以及電阻的半導體電路而設計。

例如，在專利文獻1公開了半導體基板具有與電容部的正下連接的第一電阻區域、與第一電阻區域并排地配置的周邊電阻區域、以及在第一電阻區域與周邊電阻區域之間具有第一電阻區域的電阻值以上的電阻值的電阻分離區域的半導體裝置。電阻分離區域對半導體基板注入離子使結晶性變差進行高電阻化。專利文獻1所記載的半導體裝置能夠通過電阻分離區域的電阻值的控制、第一電阻區域與電阻分離區域的體積比的控制，使電阻部的電阻變化。換句話說，半導體裝置能夠使電路設計的自由度提高。

專利文獻1：日本特許第5476747號公報

然而，在專利文獻1所記載的半導體裝置中，在對電阻分離區域進行離子注入時，為了使半導體基板在厚度方向上均勻地高電阻化，需要較高的注入能量，產生很難進行電阻值的控制這樣的課題。

發明內容

本發明是鑒于這樣的情況而完成的，目的在于提供一種能夠實現提高電路設計的自由度的半導體裝置。

本發明的一個方式的半導體裝置具備：半導體基板，具有第一主面和第二主面；第一電極，設置于半導體基板的第一主面側；電介質層，設置在半導體基板與第一電極之間；第二電極，設置于半導體基板的第二主面側；以及電阻控制層，設置在半導體基板與第二電極之間，電阻控制層具備：將半導體基板和第二電極電連接的第一區域；以及與第一區域并排且比第一區域電阻率高的第二區域。

根據本發明，能夠提供一種能夠實現提高電路設計的自由度的半導體裝置。

附圖說明

圖1是概略地示出第一實施方式的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖2是概略地示出第一實施方式的半導體裝置的結構的俯視圖。

圖3是概略地示出作為第一實施方式的半導體裝置的電路的安裝例的電路圖。

圖4是概略地示出第二實施方式的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖5是概略地示出第三實施方式的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖6是概略地示出第四實施方式的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖7是概略地示出第五實施方式的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖8是概略地示出第五實施方式的半導體裝置的結構的俯視圖。

具體實施方式