[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880069502.6
• 申請(qǐng)日: 2018-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN111279466A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘆峰智行;中川博;村瀨康裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H01L21/822
• 分類號(hào): H01L21/822;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

半導(dǎo)體基板，具有第一主面和第二主面；

第一電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述第一主面?zhèn)龋?/p>

電介質(zhì)層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板與所述第一電極之間；

第二電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述第二主面?zhèn)龋灰约?/p>

電阻控制層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板與所述第二電極之間，

所述電阻控制層具備：將所述半導(dǎo)體基板與所述第二電極電連接的第一區(qū)域；以及與所述第一區(qū)域并排且電阻率比所述第一區(qū)域高的第二區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體基板利用硅設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體基板的電阻率為10^-4Ω·cm以上且10^-2Ω·cm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述電阻控制層的所述第一區(qū)域的電阻率為與所述第二電極的電阻率相同或大于所述第二電極的電阻率的大小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述電阻控制層的所述第一區(qū)域的電阻率為與所述半導(dǎo)體基板的電阻率相同或大于所述半導(dǎo)體基板的電阻率的大小。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體基板的電阻率為與所述第二電極的電阻率相同或大于所述第二電極的電阻率的大小。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在被切斷成與所述半導(dǎo)體基板的所述第二主面正交且包含所述電阻控制層的所述第一區(qū)域的中央部的剖視面上，所述第一區(qū)域的與所述第二主面平行的方向的寬度比所述第一區(qū)域的與所述第二主面正交的方向的高度大。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在俯視所述半導(dǎo)體基板的所述第二主面時(shí)，所述電阻控制層的所述第一區(qū)域被設(shè)置為圓形狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述電阻控制層的所述第二區(qū)域利用絕緣體設(shè)置。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述電阻控制層的所述第二區(qū)域利用硅氧化物設(shè)置。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述電阻控制層的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域利用半導(dǎo)體設(shè)置。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在所述半導(dǎo)體基板的所述第一主面?zhèn)刃纬捎杏芍辽僖粋€(gè)溝槽部構(gòu)成的溝槽結(jié)構(gòu)，

沿著所述溝槽結(jié)構(gòu)形成有所述電介質(zhì)層和所述第一電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

并聯(lián)連接在晶體管的漏極-源極間或者集電極-發(fā)射極間。