[發明專利]用于包含有機半導體層的電子器件的電極在審
| 申請號: | 201880068690.0 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN111247653A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | D·斯巴洛;P·米希凱維奇;M·詹姆斯 | 申請(專利權)人: | 弗萊克因艾伯勒有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/10 | 分類號: | H01L51/10 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 宓霞 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 包含 有機半導體 電子器件 電極 | ||
本申請涉及有機電子器件,所述電子器件包含多層電極以及有機半導體層,還涉及生產這樣的有機電子器件的方法。
技術領域
本申請涉及有機電子器件,所述電子器件包含多層電極以及有機半導體(OSC)層,還涉及生產這樣的有機電子器件的方法。
背景技術
有機電子材料已成熟地存在于廣泛的電子器件中,如有機光檢測器(OPD)、有機光伏電池(OPV)、有機發光二極管(LED)和有機場效應晶體管(OFET),僅舉幾例。由于它們可通過溶液加工沉積到下方襯底上,有機電子材料有希望實現簡化的和非常靈活的生產,有可能也帶來降低的制造成本。
為了獲得高效有機電子器件,電極材料的功函必須匹配p型有機半導體材料的最高占據分子軌道(HOMO)和n型有機半導體材料的最低未占分子軌道(LUMO)的能級。因此,對于p型有機電子器件,金、鈀和鉑是合適的電極材料。替代地,銀電極已經與自組裝單層結合使用,其中自組裝單層使該電極的功函達到適合p型有機電子器件的水平。
在Herbert B.Michaelson,Journal of Applied Physics 48,4729(1977);doi:10.1063/1.323539中給出了化學元素的功函的綜述。
但是,所有這些貴金屬電極都顯著增加有機電子器件的成本,因此感興趣的是能夠使用更低成本的金屬作為電極材料。
由于其良好的電導率、相對較低的成本和相對容易用于制造工藝,銅可例如被考慮作為可能的替代性電極材料。此外,銅已用于半導體工業。
但是,銅的特征在于相對較高的化學反應性并且需要表面改性以使銅電極的功函匹配相應的有機半導體材料。可以例如通過用銀鍍覆銅表面進行這樣的表面改性。但是,這常導致形成銀枝晶,因此使得由此制成的電子器件無用。
因此,在工業中需要克服這些電極的缺點。
發明內容
因此,本申請的一個目的是提供適用于有機電子器件的具有降低的成本的電極。
一個目的還在于提供其功函可適應有機電子器件中所用的相應的有機半導體材料的電極。
一個目的還在于提供優選在商業生產規模下可容易和/或可靠地制造的電極。
一個目的還在于提供具有良好,優選改進的性能的有機電子器件。
另外,本申請的一個目的是提供這樣的電極和這樣的有機電子器件的生產方法。
發明內容
發明概述
本發明的發明人現在已經令人驚訝地發現,上述目的可單個地或以任何組合通過本發明有機電子器件和通過本申請中公開的生產方法實現。
本申請因此提供一種有機電子器件,其包含
-一個或多個電極,其包含第一電極層和基本上覆蓋第一電極層的第二電極層;和
-有機半導體層,
其中所述第一電極層包含第一金屬,所述第一金屬選自鉻、鉬、鎢和任何這些金屬的任何摻混物;并且其中所述第二電極層包含第二金屬,所述第二金屬選自適用于第一電極層的無電鍍覆的任何金屬或金屬摻混物。
本申請因此還提供一種生產這樣的有機電子器件的方法,所述方法包括以下步驟:
(a)提供一個或多個如本文中定義的第一電極層,任選在如本文中定義的襯底上;
(b)在所述第一電極層上沉積如本文中定義的第二電極層,以獲得一個或多個電極;和
(c)在所述電極上沉積有機半導體材料以獲得有機半導體層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于弗萊克因艾伯勒有限公司,未經弗萊克因艾伯勒有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880068690.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





