[發明專利]用于包含有機半導體層的電子器件的電極在審
| 申請號: | 201880068690.0 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN111247653A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | D·斯巴洛;P·米希凱維奇;M·詹姆斯 | 申請(專利權)人: | 弗萊克因艾伯勒有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/10 | 分類號: | H01L51/10 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 宓霞 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 包含 有機半導體 電子器件 電極 | ||
1.有機電子器件,其包含
-一個或多個電極,所述電極包含第一電極層和基本上覆蓋第一電極層的第二電極層;和
-有機半導體層,
其中所述第一電極層包含第一金屬,所述第一金屬選自鉻、鉬、鎢和任何這些金屬的任何摻混物;并且其中所述第二電極層包含第二金屬,所述第二金屬選自適合無電鍍覆到所述第一金屬上的任何金屬或金屬摻混物。
2.根據權利要求1的有機電子器件,其中第二金屬選自銀、具有至少4.9eV的功函Φ的金屬和任何這些金屬的任何摻混物。
3.根據權利要求1或2的有機電子器件,其中第二金屬選自銀、鈷、銠、銥、鎳、鈀、鉑、金和任何這些金屬的任何摻混物;優選選自銀、鈷、銥、鎳、鈀、鉑、金和任何這些金屬的任何摻混物;更優選選自銀、銥、鎳、鈀、鉑、金和任何這些金屬的任何摻混物;再更優選選自銀、鈀、鉑、金和包含這種金屬的任何摻混物。
4.根據前述權利要求中任一項或多項的有機電子器件,其中第二金屬是銀。
5.根據前述權利要求中任一項或多項的電子器件,其中所述一個或多個電極包含基本上覆蓋第二電極層的第三電極層,所述第三電極層是自組裝單層。
6.根據前述權利要求中任一項或多項的電子器件,其中所述一個或多個電極包含基本上覆蓋第二電極層的第三電極層,所述第三電極層是由選自下列式(I)至(III)的結構部分的結構部分組成的自組裝單層
其中
X1在每次出現時獨立地選自-Xa-、-Xa-Xb-、-C(=Xa)-Xb-、-XaO3-、-Xa-XbO3-、-PO2H-和-PO3H-;
Xa和Xb在每次出現時獨立地為S或Se;
a是0或1;
Sp在每次出現時獨立地為式(IV)的基團
b、c、d和e在每次出現時獨立地為0、1或2,條件是如果a是1,則b、c、d和e的總和為至少1;
Ar1是對亞苯基或其中一個或多個碳環原子被N取代的對亞苯基;
R2在每次出現時獨立地選自-CH2-、-CHF-和-CF2-;
R1在每次出現時獨立地為有機基團或有機雜化基團;
X11選自-CH2-、-CF2-和芳族C-R15;
X12選自-CH2-、-CF2-和-C(=O)-;
X13選自-CH2-、-CF2-和N-R16;
X14選自-CH2-、-CF2-、-C(=O)-和N-R17;條件是X13是N-R16或X14是N-R17;
R11和-如果存在的-R16互相獨立地選自H、F、甲基、乙基、其中一個或多個氫被氟替代的甲基、其中一個或多個氫被氟替代的乙基和如上文定義的-(Sp)a-X1-*,條件是R11和R16的至少一個是-(Sp)a-X1-*,且條件是如果X13是N-R15,則R11和R16不都是-(Sp)a-X1-*;
R12、R13、R14、R15和R17互相獨立地選自H、F、甲基、乙基、其中一個或多個氫被氟替代的甲基、其中一個或多個氫被氟替代的乙基,且R12、R13、R14、R15和R17的兩個或三個相鄰基團可一起形成具有總共6至24個芳環原子的脂族或芳族環系;
X21、X22和X23互相獨立地選自-N(H)-、-N=、=N-、-C(R23)=、=C(R23)-和-S-,其中X21、X22和X23的至少一個不同于-C(R23)=和=C(R23)-;
R21和R22互相獨立地為F、Cl或具有1至15個C原子的直鏈或支化的烷基,其中一個或多個不相鄰C原子任選被-O-、-S-、-NR§-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CR§=CR§§-或-C≡C-替代,并且其中一個或多個H原子任選被F、Cl、Br、I或CN替代,或是指未取代或被一個或多個非芳族基團R24取代的具有2至30個C原子的芳基、雜芳基、芳氧基、雜芳氧基、芳基羰基、雜芳基羰基、芳基羰氧基、雜芳基羰氧基、芳氧基羰基或雜芳氧基羰基,或R21和R22與彼此和與它們所連向的五元雜環一起形成包含5至7個環原子并且未取代或被1、2、3、4或5個基團R24取代的芳族或雜芳族環;
R23在每次出現時相同或不同地為H、SH、NH2或具有1至15個C原子的直鏈或支化的烷基,其中一個或多個不相鄰C原子任選被-O-、-S-、-NR§-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、O-CO-O-、-CR§=CR§§-或-C≡C-替代,并且其中一個或多個H原子任選被F、Cl、Br、I或CN替代;
R24在每次出現時相同或不同地為H、鹵素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR§R§§、-C(=O)X0、-C(=O)R§、-NH2、-NR§R§§、-SH、-SR§、-SO3H、-SO2R§、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、任選取代的甲硅烷基、任選取代并任選包含一個或多個雜原子的具有1至40個C原子的碳基或烴基;
R§和R§§互相獨立地為H或任選包含一個或多個雜原子的任選取代的碳基或烴基;且
X0是鹵素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





