[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880068187.5
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN111344863A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蒂爾曼·魯戈海默;胡貝特·哈爾布里特
• 申請（專利權(quán)）人: 歐司朗OLED股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王逸君;丁永凡

一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：?第一半導(dǎo)體本體(1)，所述第一半導(dǎo)體本體具有襯底(10)，所述襯底具有第一厚度；以及?第二半導(dǎo)體本體(2)，所述第二半導(dǎo)體本體具有小于第一厚度的第二厚度，具有去除部位(40)，在襯底(10)上設(shè)置并且與第一半導(dǎo)體本體(1)導(dǎo)電地連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件和這種半導(dǎo)體器件的應(yīng)用。

本申請要求德國專利申請102017124319.4的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過參引結(jié)合于此。

背景技術(shù)

光學傳感器可以包括一個或多個發(fā)送器和一個或多個接收器和測量路段的組合。接收器探測由發(fā)送器發(fā)射的、在經(jīng)過測量路段之后的輻射。根據(jù)探測出的值可以定量地或定性地檢測環(huán)境特性。輻射通常是在可見范圍和/或不可見范圍內(nèi)的光。探測所發(fā)射的光以何種程度反射的光學傳感器稱作為反射傳感器。

光學傳感器例如應(yīng)用在智能電話中，其中一旦設(shè)備移向頭部，那么顯示器變暗。為此，以紅外線發(fā)射的、基于材料體系A(chǔ)lGaAs的芯片發(fā)出光，并且基于硅的探測器探測向回散射的光，從中可以推斷出距頭的間距。通常硅芯片具有比發(fā)光芯片更大的面積。

這種傳感器基于單獨的發(fā)送器和接收器芯片在封裝平面上的集成。通常使用具有殼體和帶有芯片的印刷電路板(英語“printed circuit board”，PCB)的裝置，也稱作為基于PCB的殼體，這能夠?qū)崿F(xiàn)在設(shè)計方面的靈活性和低的成本。在生產(chǎn)時，將要集成的芯片安裝，例如粘接到電路板上。隨后添加光學元件，例如阻擋部、透鏡和/或過濾器。在制造時所有芯片和光學元件順序地安裝在電路板上。

用于這種傳感器的電路板的常見厚度在大約200μm的范圍內(nèi)。常見的芯片厚度在大約100μm至150μm的范圍內(nèi)。還有其他的光學元件，例如用于避免串擾(cross-talk)的框架，以及用于接合線的保持件、囊封件等對器件的總構(gòu)造高度產(chǎn)生影響。

這種傳感器例如用于測量心率和/或血氧飽和度以及用作為接近傳感器或環(huán)境光傳感器。

發(fā)明內(nèi)容

提出如下目的，提供一種更扁平的器件。

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：第一半導(dǎo)體本體，所述第一半導(dǎo)體本體具有襯底，所述襯底具有第一厚度；以及第二半導(dǎo)體本體，所述第二半導(dǎo)體本體具有小于第一厚度的第二厚度，具有去除部位，在襯底上設(shè)置并且與第一半導(dǎo)體本體導(dǎo)電地連接。

半導(dǎo)體本體是施加在載體材料上的集成電路，所述集成電路包括組件或僅一個單個的構(gòu)件，例如LED。這種半導(dǎo)體本體也可以稱作為芯片。

第一半導(dǎo)體本體包括襯底，在所述襯底中或在所述襯底上例如借助于結(jié)構(gòu)化的層序列施加集成電路。第一半導(dǎo)體本體可以是硅芯片。襯底也用作為用于第二半導(dǎo)體本體的載體。不需要將所述第二半導(dǎo)體本體直接安放在襯底上，而是所述第二半導(dǎo)體本體也可以安裝在設(shè)置在襯底上的層或結(jié)構(gòu)上。在安放第二半導(dǎo)體本體之后也可以將其他結(jié)構(gòu)化的層施加到第一還有第二半導(dǎo)體本體上。第一厚度有利地等于或小于200μm，尤其在100μm至200μm的范圍內(nèi)。第二厚度僅為幾微米。

第二半導(dǎo)體本體具有去除部位，所述去除部位由生產(chǎn)過程造成，其中第二半導(dǎo)體本體以復(fù)合件的方式制成，使得仍彼此連接的第二半導(dǎo)體本體經(jīng)由達到第二半導(dǎo)體本體的保持結(jié)構(gòu)彼此連接并且形成復(fù)合件。在真正的半導(dǎo)體本體和保持結(jié)構(gòu)之間的連接區(qū)域相對于半導(dǎo)體本體是小的，并且允許將半導(dǎo)體本體從保持結(jié)構(gòu)容易地去除。第二半導(dǎo)體本體可以包括連接片形的突出部，所述突出部由與保持結(jié)構(gòu)的連接造成，在其端部處具有去除部位。