[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880068187.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111344863A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蒂爾曼·魯戈海默;胡貝特·哈爾布里特 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 歐司朗OLED股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L25/16 | 分類(lèi)號(hào): | H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王逸君;丁永凡 |
| 地址: | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件包括:
-第一半導(dǎo)體本體(1),所述第一半導(dǎo)體本體具有襯底(10),所述襯底具有第一厚度;以及
-第二半導(dǎo)體本體(2),所述第二半導(dǎo)體本體具有小于所述第一厚度的第二厚度,具有去除部位(40),在所述襯底上(10)設(shè)置并且與所述第一半導(dǎo)體本體(1)導(dǎo)電地連接,
其中所述第一半導(dǎo)體本體(1)包括第一有源區(qū)(11),所述第一有源區(qū)設(shè)為用于產(chǎn)生輻射或用于接收輻射,并且
其中所述第二半導(dǎo)體本體(2)包括第二有源區(qū)(21),所述第二有源區(qū)設(shè)為用于產(chǎn)生輻射或用于接收輻射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第二有源區(qū)(21)設(shè)為用于產(chǎn)生輻射而所述第一有源區(qū)(11)設(shè)為用于探測(cè)所述輻射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一半導(dǎo)體本體(1)具有上側(cè)(15),在所述上側(cè)處設(shè)置有所述有源區(qū)(11)并且在所述上側(cè)上或在所述上側(cè)處設(shè)置有所述第二半導(dǎo)體本體(2)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第二半導(dǎo)體本體(2)具有接觸部(23),所述接觸部與所述第一半導(dǎo)體本體(1)的接觸部通過(guò)倒裝芯片接觸部來(lái)連接。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
所述半導(dǎo)體器件包括在所述襯底(10)中的凹槽(19),所述第二半導(dǎo)體本體(2)至少部分沉入地插入到所述凹槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述凹槽(19)的側(cè)壁(24)是鏡面反射的。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一半導(dǎo)體本體(1)在其下側(cè)上具有用于連接所述半導(dǎo)體器件的接觸部(12)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一厚度小于或等于200μm。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一半導(dǎo)體本體(1)是硅芯片。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第二半導(dǎo)體本體(2)在其背離所述第一半導(dǎo)體本體(1)的側(cè)上具有輻射可穿透的導(dǎo)電層(22)。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
其中導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(14)從所述第一半導(dǎo)體本體(1)伸展到所述第二半導(dǎo)體本體(2)的背離所述第一半導(dǎo)體本體的側(cè)上。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第二半導(dǎo)體本體(2)包括連接片形的突出部(38),所述突出部在其端部處具有去除部位(40)。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第二半導(dǎo)體本體(2)是薄層LED。
14.一種根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用,其中所述半導(dǎo)體器件用作為接近傳感器、姿勢(shì)傳感器、心率傳感器或身體功能傳感器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類(lèi)型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類(lèi)型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類(lèi)型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





