[發明專利]微細圖案的制造方法以及使用了其的顯示器件的制造方法

在審

• 申請號: 201880068098.0
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN111247624A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 池田宏和;野中敏章;遠山宜亮;鈴木孝秀
• 申請（專利權）人: 默克專利有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/40
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

[問題]本發明提供在液晶顯示器件制造領域中適宜使用的、實效性地制造分辨極限以下的抗蝕圖案的方法。具體提供：維持具有錐形形狀的圖案形狀且為極限分辨以下的微細圖案的制造方法。[解決方案]一種微細圖案的制造方法，其包含以下的工序：在基板上，涂布包含堿溶解速度為的酚醛清漆樹脂的抗蝕組合物，形成抗蝕組合物層的工序，將前述抗蝕組合物層進行曝光的工序，將前述抗蝕組合物層進行顯影，形成抗蝕圖案的工序，將前述抗蝕圖案進行整面曝光的工序，在前述抗蝕圖案的表面涂布微細圖案形成組合物，形成微細圖案形成組合物層的工序，將前述抗蝕圖案以及微細圖案形成組合物層進行加熱，將前述微細圖案形成組合物層的前述抗蝕圖案附近區域進行固化而形成不溶化層的工序，以及將前述微細圖案形成組合物層的未固化部分去除的工序。

技術領域

本發明涉及微細圖案的制造方法、以及使用了其的顯示器件的制造方法，其中，在形成抗蝕圖案時，通過將已經形成的抗蝕圖案間的分離尺寸或者圖案開口尺寸進行縮小，從而可形成更微細的圖案。

背景技術

近年來，在半導體器件(device)和/或液晶顯示器件的制造中，使用抗蝕劑而進行圖案形成。關于液晶顯示器件的抗蝕工藝，適用于例如從300mm×400mm的第1代基板至被稱為第10代的2850mm×3050mm的大型的基板，為了實現高通量而要求高靈敏度化。在這樣地適用于超大型的玻璃基板的情況下，包括制造裝置在內，與半導體器件制造用的抗蝕劑的情況相比，所要求的特性完全不同。例如，對于寬廣的基板面整面，要求抗蝕圖案尺寸的均勻性。另外，所使用的光源也與半導體器件制造用的抗蝕劑的情況不同，使用了例如365nm(i線)、405nm(h線)、436nm(g線)等300nm以上的輻射線、特別是它們的混合波長。另外，關于抗蝕圖案的形狀，在半導體制造領域優選為矩形，與此相對，由于在其后的加工方面有利，因而有時會優選為在孔穴(hole)部等的內側側面帶有傾斜(以下，稱為“錐度”(taper))的形狀。

最近，正在繁盛地進行對于被稱作系統LCD的高功能LCD的技術開發，要求實現抗蝕圖案的更進一步的高分辨化。一般而言，為了提高抗蝕圖案的分辨率，根據雷利方程式(Rayleigh’s Equation)：

最小分辨率R＝k1×λ/NA

焦點深度DOF＝k2×λ/NA²

(式中，k1以及k2表示常數，λ表示曝光波長，NA表示數值孔徑)，必須使用短波長的光源，或者必須使用高NA(數值孔徑)的曝光工藝。然而，在液晶顯示器件制造領域，不易通過變更光源裝置而現今以上地將曝光波長進行短波長化，從提高通量的觀點考慮，也不易進行高NA化(例如，專利文獻1)。

另外，在半導體器件制造領域，存在有相移掩模(phase shift mask)和光學鄰近效應修正(Optical Proximity Correction，OPC)那樣的微細圖案形成用的技術，但在液晶顯示器件的實際制造中，NA低，使用g、h、i線等混合波長，因而在這些技術方面無法期望良好的效果。這樣地，即使將半導體器件制造領域中的圖案微細化技術轉用于顯示器件的制造中，也未必一定成功。

此外有人提出了如下的方法：雖然是半導體器件制造領域，但作為將抗蝕圖案進行微細化的方法之一，通過由抗蝕組合物形成抗蝕圖案，然后在抗蝕圖案上施加包覆層，進行加熱等，從而在包覆層與抗蝕圖案之間形成混合層，其后通過將包覆層的一部分去除而使抗蝕圖案變粗，作為結果，將抗蝕圖案的分離尺寸或者孔穴開口尺寸進行縮小而謀求抗蝕圖案的微細化，實效性地形成分辨極限以下的微細抗蝕圖案(例如，專利文獻2和3)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-195496號公報

專利文獻2：日本特許3071401號公報

專利文獻3：日本特開平11(1999)-204399號公報

發明內容