[發明專利]微細圖案的制造方法以及使用了其的顯示器件的制造方法在審
| 申請號: | 201880068098.0 | 申請日: | 2018-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN111247624A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 池田宏和;野中敏章;遠山宜亮;鈴木孝秀 | 申請(專利權)人: | 默克專利有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/40 |
| 代理公司: | 北京三幸商標專利事務所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 劉卓然 |
| 地址: | 德國達*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微細 圖案 制造 方法 以及 使用 顯示 器件 | ||
1.一種微細圖案的制造方法,其包含以下的工序:
(1)在基板上,涂布包含堿溶解速度為的酚醛清漆樹脂的抗蝕組合物,形成抗蝕組合物層的工序,
(2)將所述抗蝕組合物層進行曝光的工序,
(3)將所述抗蝕組合物層進行顯影,形成抗蝕圖案的工序,
(4)將所述抗蝕圖案進行整面曝光的工序,
(5)在所述抗蝕圖案的表面涂布微細圖案形成組合物,形成微細圖案形成組合物層的工序,
(6)將所述抗蝕圖案以及微細圖案形成組合物層進行加熱,將所述微細圖案形成組合物層的所述抗蝕圖案附近區域進行固化而形成不溶化層的工序,以及
(7)將所述微細圖案形成組合物層的未固化部分去除的工序。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,使用極限分辨率為1.5~5.0μm的曝光裝置進行所述工序(2)中的曝光。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其中,使用數值孔徑為0.08~0.15的投影透鏡進行所述工序(2)中的曝光。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的方法,其中,所述工序(2)中的曝光量為15~80mJ/cm2。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的方法,其中,在所述工序(2)中照射的光包含300~450nm的波長的光。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的方法,其中,所述酚醛清漆樹脂的質均分子量為1,500~25,000。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的方法,其進一步包含將所述抗蝕圖案進行加熱的工序(3-1)。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的方法,其中,所述微細圖案形成組合物包含交聯劑、聚合物與溶劑。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的方法,其中,所述微細圖案形成組合物利用細管粘度計在25℃測定得到的粘度為1~120cP。
10.根據權利要求1~9中任一項所述的方法,其中,所述微細圖案的收縮量為0.05~1.00μm。
11.根據權利要求1~10中任一項所述的方法,其中,所述工序(6)中的加熱在50~140℃進行。
12.根據權利要求1~11中任一項所述的方法,其中,在所述工序(7)中,通過使水、水溶性有機溶劑與水的混合液、或者堿水溶液接觸于所述微細圖案形成組合物層,從而將所述未固化部分去除。
13.根據權利要求1~12中任一項所述的方法,其中,所述抗蝕圖案的截面形狀為錐形形狀。
14.一種顯示器件的制造方法,其包含權利要求1~13中任一項所述的方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





