[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880067866.0 | 申請日: | 2018-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN111213249B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | I.坦格林;G.貝林克 | 申請(專利權(quán))人: | 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/52 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉書航;劉春元 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 生產(chǎn) | ||
本發(fā)明涉及一種用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。方法包括如下步驟:提供載體,載體具有布置在載體上的半導(dǎo)體部件;以及在載體上提供層布置,層布置鄰接半導(dǎo)體部件,具有第一可流動層和第二可流動層。第一層被形成在載體上。然后在第一層上形成第二層。第一層具有顆粒。第一層的密度大于第二層的密度。連同第一層一起發(fā)生半導(dǎo)體部件的橫向浸潤,使得第一層具有第一實施例,第一實施例具有對于半導(dǎo)體部件的側(cè)部彎曲的層表面。方法更進(jìn)一步地包括對被提供有半導(dǎo)體部件和層布置的載體進(jìn)行離心,使得至少減小第一層的層表面對于半導(dǎo)體部件的側(cè)部的彎曲并且作為結(jié)果第一層具有第二實施例。借助于布置在第一層上的第二層,防止第一層返回到第一實施例。本發(fā)明更進(jìn)一步地涉及半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明涉及用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明更進(jìn)一步地涉及半導(dǎo)體器件。
本專利申請要求德國專利申請10 2017 118 915.7的優(yōu)先權(quán),其公開內(nèi)容被通過引用合并于此。
半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)可以包括提供載體以及在載體上布置半導(dǎo)體部件。半導(dǎo)體部件可以是被配置用于經(jīng)由前側(cè)以及經(jīng)由橫向側(cè)壁發(fā)射輻射的輻射發(fā)射半導(dǎo)體部件。在該上下文中,可以對于相對于半導(dǎo)體部件橫向地形成薄的白色反射性層給出更進(jìn)一步的考慮。為此目的,可以橫向地相對于載體上的半導(dǎo)體部件施加包括處于可流動狀態(tài)的嵌入反射性顆粒的塑料層,該塑料層可以隨后固化。具有包括顆粒的塑料層的半導(dǎo)體部件的橫向浸潤可能在施加期間發(fā)生。 以此方式,塑料層可能構(gòu)成不期望的屏障,其防止輻射經(jīng)由半導(dǎo)體部件的側(cè)壁被橫向地耦合出。
本發(fā)明的目的是要指定用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的改進(jìn)的方法和改進(jìn)的半導(dǎo)體器件。
該目的是借助于獨立專利權(quán)利要求的特征來實現(xiàn)的。在從屬權(quán)利要求中指定了本發(fā)明的進(jìn)一步的有利的實施例。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提出了一種用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括提供載體,載體具有布置在該載體上的半導(dǎo)體部件。進(jìn)一步的步驟是在載體上提供層布置,所述層布置鄰接半導(dǎo)體部件并且包括第一可流動層和第二可流動層。第一層形成在載體上。然后在第一層上形成第二層。第一層包括顆粒。第一層的密度大于第二層的密度。在形成第一層的過程中,發(fā)生利用第一層的對半導(dǎo)體部件的橫向浸潤,使得第一層包括第一配置,該第一配置包括相對于半導(dǎo)體部件在橫向上的彎曲的層表面。該方法更進(jìn)一步地包括對被提供有半導(dǎo)體部件和層布置的載體進(jìn)行離心,使得相對于半導(dǎo)體部件在橫向上的第一層的層表面的彎曲至少被減小,并且第一層包括作為結(jié)果的第二配置。借助于布置在第一層上的第二層,抑制第一層再次返回到第一配置。
將包括顆粒的可流動第一層施加在載體上與半導(dǎo)體部件的橫向浸潤相關(guān)聯(lián)。以此方式,可以利用第一層覆蓋半導(dǎo)體部件的橫向側(cè)壁。因此存在第一層的第一配置,其中第一層包括在表面張力和浸潤性質(zhì)的影響下的相對于半導(dǎo)體部件在橫向上的在橫截面中彎曲的層表面。層表面可以是凹形地彎曲的。更進(jìn)一步地,相對于半導(dǎo)體部件在橫向上的第一層可以包括非均勻的層厚度輪廓,該非均勻的層厚度輪廓包括在半導(dǎo)體部件的方向上上升的層厚度。
為了更改該配置,可流動第二層直接形成在可流動第一層上,所述第二層的密度小于第一層的密度。更進(jìn)一步地,對被提供有半導(dǎo)體部件和層布置的載體進(jìn)行離心。在該處理(其在兩個層的可流動狀態(tài)下執(zhí)行)期間,層布置在離心力的影響下在載體的方向上被按壓。
在離心期間利用流體的密度分離的原理。在這種情況下,第一層的較大密度具有避免或較大程度地抑制兩個層的混合的效果,并且因此各層也可以在離心之后作為單獨的層存在。由于離心力而在載體的方向上按壓較重的第一層更進(jìn)一步地具有至少減少相對于半導(dǎo)體部件在橫向上的第一層的層表面的彎曲的結(jié)果。以此方式,可以至少減少利用第一層的對半導(dǎo)體部件的橫向覆蓋,并且第一層的層厚度輪廓可以更均勻。
借助于離心,從而導(dǎo)致第一層的第二配置,其中第一層包括相對于半導(dǎo)體部件在橫向上的至少在橫截面中不太彎曲的層表面。還可能消除彎曲并且使第一層包括相對于半導(dǎo)體部件在橫向上平坦的層表面。以此方式,第一層可以包括均勻的層厚度輪廓。
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