[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880067866.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111213249B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | I.坦格林;G.貝林克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50;H01L33/52 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉書航;劉春元 |
| 地址: | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 生產(chǎn) | ||
1.一種用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件(100)的方法,包括:
提供載體(110),載體(110)具有布置在載體(110)上的半導(dǎo)體部件(140);
在載體(110)上提供層布置,所述層布置鄰接半導(dǎo)體部件(140)并且包括第一可流動(dòng)層和第二可流動(dòng)層,其中第一層(161)形成在載體(110)上,并且然后在第一層(161)上形成第二層(162、262),其中第一層(161)包括顆粒(166),其中第一層(161)的密度大于第二層(162、262)的密度,并且其中發(fā)生利用第一層(161)的對(duì)半導(dǎo)體部件(140)的橫向浸潤(rùn),使得第一層(161)包括第一配置,該第一配置包括相對(duì)于半導(dǎo)體部件(140)在橫向上彎曲的層表面;以及
對(duì)被提供有半導(dǎo)體部件(140)和所述層布置的載體(110)進(jìn)行離心,使得至少減小第一層(161)的相對(duì)于半導(dǎo)體部件(140)在橫向上的層表面的彎曲,并且作為結(jié)果第一層(161)包括第二配置,其中,借助于布置在第一層(161)上的第二層(162、262),抑制第一層(161)再次返回到第一配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中半導(dǎo)體部件(140)是以下之一:
輻射發(fā)射半導(dǎo)體部件;
輻射發(fā)射半導(dǎo)體芯片;或者
輻射發(fā)射CSP半導(dǎo)體部件。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中第一層(161)和/或第二層(162、262)是塑料層。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中第二層(162)是輻射透射性塑料層。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中第一層(161)包括至少以下顆粒:
反射性顆粒;
吸收劑顆粒;和/或
磷光體顆粒。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中第一層(161)包括具有在30%至50%的范圍內(nèi)的按重量計(jì)的比例的顆粒。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中,在離心之后,執(zhí)行固化第一層(161)以及然后移除第二層(262)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,
其中第二層(262)包括以下中的至少一個(gè):
硅樹脂油;
甘油;和/或
水。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中第一層(161)和第二層(162)包括對(duì)應(yīng)的塑料材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6或9中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中第一層(161)和第二層(162)包括硅樹脂材料。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中,在離心之后,執(zhí)行移除載體(110)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中所提供的載體(110)包括腔體(131),在腔體(131)中布置有半導(dǎo)體部件(140)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中包圍腔體(181)的壁結(jié)構(gòu)(180)被布置在所提供的載體(110)上,并且其中半導(dǎo)體部件(140)被布置在腔體(181)中。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法,
其中,在離心之后,執(zhí)行以下中的至少一個(gè):
形成進(jìn)一步的層(170、171、172、175、190);或者
形成透鏡(191)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司,未經(jīng)奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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