[發明專利]具有患者接口模塊的管腔內設備重用防止及相關聯的設備、系統和方法在審
| 申請號: | 201880067767.2 | 申請日: | 2018-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN111225616A | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | C·佩雷斯 | 申請(專利權)人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號: | A61B8/00 | 分類號: | A61B8/00;A61B8/12;A61B8/08;A61B90/00;B06B1/02 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 孟杰雄 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 患者 接口 模塊 管腔內 設備 重用 防止 相關 系統 方法 | ||
1.一種感測系統,包括:
患者接口模塊(PIM),其被通信地設置在處理系統與感測設備之間,所述感測設備被配置為在被定位在患者的身體內時獲得與所述身體相關聯的測量數據,所述感測設備包括存儲器,其中,所述患者接口模塊包括:
控制器,其能用于:
使用第一信號電壓來讀取被存儲在所述感測設備的所述存儲器上的數據;
使用第二信號電壓來寫入到所述存儲器以停用所述感測設備的另外的操作;以及
電壓開關,其被配置為選擇性地輸出所述第一信號電壓或者所述第二信號電壓。
2.根據權利要求1所述的系統,其中,所述電壓開關包括多個電子部件。
3.根據權利要求2所述的系統,其中,所述多個電子部件包括多個晶體管。
4.根據權利要求3所述的系統,其中,所述多個晶體管包括多個金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
5.根據權利要求4所述的系統,其中,所述多個MOSFET包括p溝道MOSFET和多個n溝道MOSFET。
6.根據權利要求1所述的系統,其中,所述第二信號電壓與擦除所述存儲器的命令相關聯。
7.根據權利要求1所述的系統,其中,所述第二信號電壓與將日期戳寫入到所述存儲器的命令相關聯。
8.根據權利要求7所述的系統,其中,所述日期戳表示所述感測設備獲得所述測量數據的使用日期。
9.根據權利要求1所述的系統,其中,所述存儲器包括EEPROM。
10.根據權利要求1至9中的任一項所述的系統,還包括:
所述感測設備;以及
所述處理系統。
11.根據權利要求10所述的系統,其中,所述感測設備是管腔內感測設備,所述管腔內感測設備被配置為在被定位在所述患者的身體管腔內時獲得與所述身體管腔相關聯的生理測量數據。
12.一種防止感測設備的未授權使用的方法,所述方法包括:
使用第一信號電壓,使用被通信地設置在處理系統與感測設備之間的患者接口模塊(PIM)的控制器來讀取被存儲在所述感測設備的存儲器上的數據,所述感測設備被配置為在被定位在患者的身體內時獲得與所述身體相關聯的測量數據;并且
使用所述PIM的電壓開關來修改輸出信號的電壓;并且
使用第二信號電壓來寫入到所述存儲器以停用所述感測設備的另外的操作。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,所述感測設備是管腔內感測設備,所述管腔內感測設備被配置為在被定位在所述患者的身體管腔內時獲得與所述身體管腔相關聯的生理測量數據。
14.根據權利要求12或13所述的方法,其中,所述電壓開關包括多個電子部件。
15.根據權利要求14所述的方法,其中,所述多個電子部件包括多個晶體管。
16.根據權利要求15所述的方法,其中,所述多個晶體管包括多個金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
17.根據權利要求16所述的方法,其中,所述多個MOSFET包括p溝道MOSFET和多個n溝道MOSFET。
18.根據權利要求12或13所述的方法,其中,所述的寫入到所述存儲器包括發送擦除所述存儲器的命令。
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