[發明專利]靜電卡盤組件、靜電卡盤及聚焦環

有效

• 申請號: 201880067044.2
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111226309B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 久野達也;森岡育久;相川賢一郎
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H02N13/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;金鮮英

靜電卡盤組件(15)具備：陶瓷體(22)，其在作為圓形表面的晶片載置面(22a)的外周部具有位置比晶片載置面(22a)低的F/R載置面(28a)；晶片吸附用電極(32)，其埋設于陶瓷體(22)的內部中的與晶片載置面(22a)對置的位置；F/R吸附用電極(38)，其埋設于陶瓷體(22)的內部中的與F/R載置面(28a)對置的位置；用于積存氣體的凹凸區域(29)，其設置于F/R載置面(28a)的表面；聚焦環(50)，其載置于F/R載置面(28a)；以及一對彈性環狀密封材料(60)，其處于聚焦環載置面(28a)與聚焦環(50)之間且以包圍凹凸區域(29)的方式配置于F/R載置面(28a)的內周側和外周側。

技術領域

本發明涉及靜電卡盤組件、靜電卡盤以及聚焦環。

背景技術

一直以來，已知等離子體蝕刻裝置、等離子體CVD裝置、等離子體灰化裝置等等離子體處理裝置。這樣的等離子體處理裝置中，通常設置有用于將晶片載置于真空腔室內的晶片載置裝置。晶片載置裝置具備用于將實施等離子體處理的晶片吸附固定于晶片載置面的靜電卡盤、以及將該靜電卡盤進行冷卻的冷卻板。作為靜電卡盤，使用內部電極埋設于絕緣體或電介質(大多為陶瓷)的靜電卡盤等。這樣的晶片載置裝置中，在將晶片載置于晶片載置面的狀態下對內部電極施加直流電壓而產生靜電力(庫侖力或約翰遜拉別克力)，從而將晶片吸附固定于晶片載置面。而且，在該狀態下，以與晶片接觸的方式產生等離子體。有時在晶片載置面的外周設置能夠更換的聚焦環。聚焦環載置于位置比晶片載置面低的聚焦環載置面，具有使等離子體穩定地產生至晶片的外周邊緣的作用、保護靜電卡盤的表面的作用。在對晶片實施等離子體處理時，不僅晶片，該聚焦環也暴露于等離子體，因此溫度升高。吸附固定于靜電卡盤的晶片經由靜電卡盤被冷卻板所冷卻。然而，聚焦環有時與靜電卡盤相比非常厚，因此不能充分地吸附于靜電卡盤而溫度過于升高，導致有晶片的外周邊緣的溫度變高，等離子體處理工藝的成品率變差的擔憂。

因此，專利文獻1中，對于表面經氧化鋁膜處理的鋁制的靜電卡盤，使晶片載置面所使用的電介質與聚焦環載置面所使用的電介質的電阻率不同，利用庫侖力吸附晶片，利用約翰遜拉別克力吸附聚焦環。此外，專利文獻2中，在相同陶瓷內設置與晶片吸附用電極不同的聚焦環吸附用電極，僅使施加于聚焦環吸附用電極的卡盤電壓根據等離子體處理的工序發生變化，而在聚焦環易于成為高溫的蝕刻工序中，提高卡盤電壓以提高吸附力。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第4559595號公報

專利文獻2：日本特開2010-183074號公報

發明內容

發明所要解決的課題

可是，專利文獻1、2中，記載了對于聚焦環載置面與聚焦環之間供給氦氣，使聚焦環載置面與聚焦環之間的熱傳遞變得順利。然而，專利文獻1、2中，有時供給于聚焦環載置面與聚焦環之間的氦氣沒有滯留于聚焦環載置面與聚焦環之間而向其周圍泄漏，有時由氦氣進行的熱傳遞不能充分地進行。因此，期望抑制這樣的氣體泄漏。

本發明是為了解決這樣的課題而提出的，其主要目的在于提供能夠抑制供給于聚焦環載置面與聚焦環之間的氣體向其周圍泄露的靜電卡盤組件、靜電卡盤以及聚焦環。

用于解決課題的方法

本發明的靜電卡盤組件具備：

陶瓷體，其在作為圓形表面的晶片載置面的外周部具有位置比上述晶片載置面低的聚焦環載置面；

第1電極，其埋設于上述陶瓷體的內部中的與上述晶片載置面對置的位置；

第2電極，其埋設于上述陶瓷體的內部中的與上述聚焦環載置面對置的位置；

用于積存氣體的凹凸區域，其設置于上述聚焦環載置面的表面；

聚焦環，其載置于上述聚焦環載置面；以及