[發明專利]靜電卡盤組件、靜電卡盤及聚焦環有效
| 申請號： | 201880067044.2 | 申請日： | 2018-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN111226309B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發明（設計）人： | 久野達也;森岡育久;相川賢一郎 | 申請（專利權）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;金鮮英 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電 卡盤 組件 聚焦 | ||
1.一種靜電卡盤組件，具備：
陶瓷體，其在作為圓形表面的晶片載置面的外周部具有位置比所述晶片載置面低的聚焦環載置面；
第1電極，其埋設于所述陶瓷體的內部中的與所述晶片載置面對置的位置；
第2電極，其埋設于所述陶瓷體的內部中的與所述聚焦環載置面對置的位置；
用于積存氣體的凹凸區域，其設置于所述聚焦環載置面的表面；
聚焦環，其載置于所述聚焦環載置面；以及
一對彈性環狀密封材料，其處于所述聚焦環載置面與所述聚焦環之間且以包圍所述凹凸區域的方式配置于所述聚焦環載置面的內周側和外周側，
所述陶瓷體中的除了所述聚焦環載置面與所述第2電極之間的部分以外的主體由具有能夠發揮庫侖力的體積電阻率的第1陶瓷構件構成，作為所述聚焦環載置面與所述第2電極之間的部分的副體由具有能夠發揮約翰遜拉別克力的體積電阻率的第2陶瓷構件構成，
所述第1陶瓷構件的體積電阻率在使用溫度下為1×1015Ωcm以上，所述第2陶瓷構件的體積電阻率在使用溫度下為1×108Ωcm以上1×1013Ωcm以下。
2.根據權利要求1所述的靜電卡盤組件，所述彈性環狀密封材料嵌入在設置于所述聚焦環載置面和所述聚焦環的至少一者的環狀槽中。
3.一種靜電卡盤，具備：
陶瓷體，其在作為圓形表面的晶片載置面的外周部具有位置比所述晶片載置面低的聚焦環載置面；
第1電極，其埋設于所述陶瓷體的內部中的與所述晶片載置面對置的位置；
第2電極，其埋設于所述陶瓷體的內部中的與所述聚焦環載置面對置的位置；
用于積存氣體的凹凸區域，其設置于所述聚焦環載置面的表面；以及
一對環狀槽，其以包圍所述聚焦環載置面的表面中的所述凹凸區域的方式設置于內周側和外周側，
所述陶瓷體中的除了所述聚焦環載置面與所述第2電極之間的部分以外的主體由具有能夠發揮庫侖力的體積電阻率的第1陶瓷構件構成，作為所述聚焦環載置面與所述第2電極之間的部分的副體由具有能夠發揮約翰遜拉別克力的體積電阻率的第2陶瓷構件構成，
所述第1陶瓷構件的體積電阻率在使用溫度下為1×1015Ωcm以上，所述第2陶瓷構件的體積電阻率在使用溫度下為1×108Ωcm以上1×1013Ωcm以下。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
