[發明專利]研磨墊及其制造方法

有效

• 申請號: 201880066479.5
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN111212705B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 宮坂博仁;立野哲平;松岡立馬;栗原浩;三國匠
• 申請（專利權）人: 富士紡控股株式會社
• 主分類號: B24B37/24
• 分類號: B24B37/24;H01L21/304
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;孔博

本發明提供一種能夠在維持高研磨速率的同時減少劃痕的產生的研磨墊及其制造方法。所述研磨墊是具備研磨層的研磨墊，所述研磨層具有包含大致球狀的氣泡的聚氨酯片，在將預先暴露于溫度23℃、相對濕度30％環境下的所述聚氨酯片在40℃、初始載荷148g、變形范圍0.1％、測定頻率1.6Hz、拉伸模式下的儲能模量設為E’(90％)，將預先暴露于溫度23℃、相對濕度30％環境下的所述聚氨酯片在40℃、初始載荷148g、變形范圍0.1％、測定頻率1.6Hz、拉伸模式下的儲能模量設為E’(30％)時，E’(90％)/E’(30％)在0.4～0.7的范圍內。

技術領域

本發明涉及研磨墊及其制造方法。尤其涉及光學材料、半導體器件、硬盤用基板等的化學機械研磨(CMP)加工用研磨墊及其制造方法。

背景技術

由于對硅、硬盤用基板、薄型液晶顯示器用母玻璃、半導體晶片、半導體器件等材料的表面要求平坦性，因此進行使用研磨墊的游離磨粒方式的研磨。游離磨粒方式是一邊向研磨墊與被研磨物之間供給包含磨粒的漿料(研磨液、研磨漿料)一邊對被研磨物的加工面進行研磨加工的方法。

對半導體器件用研磨墊要求：在該研磨墊表面用以保持研磨漿料的開孔、維持半導體器件表面的平坦性的硬性、以及防止半導體器件表面的劃痕的彈性。作為可以應對這些要求的研磨墊，利用具有由氨基甲酸酯樹脂發泡體制造的研磨層的研磨墊。

氨基甲酸酯樹脂發泡體通常通過包含含聚氨酯鍵的異氰酸酯化合物的預聚物與固化劑的反應來進行固化而成型(干式法)。然后，將該發泡體切片成片狀，從而形成研磨墊。如此，具有通過干式法成型的硬質研磨層的研磨墊(以下，有時簡稱為硬質(干式)研磨墊)，在氨基甲酸酯樹脂固化成型時，在發泡體內部形成較小的大致球狀的氣泡，因此在通過切片形成的研磨墊的研磨表面，會形成能夠在研磨加工時保持漿料的開孔(開口)。

以往，作為表示研磨墊特性的指標，已知使用利用動態粘彈性試驗(DMA)測定的儲能模量(E’)、KEL等的值(專利文獻1、2)。

專利文獻1中公開了一種為了減少半導體器件的凹陷而將通過DMA測定的儲能模量(E’)、其30℃/90℃的比、能量損失因子(KEL)等設為特定范圍的研磨墊。專利文獻2中公開了一種通過將頻率與專利文獻1不同(專利文獻1：10弧度/秒，專利文獻2：1弧度/秒)的KEL及E’設為特定范圍，從而實現了平坦化性能和低缺陷性能的研磨墊。另外，作為滿足這些指標的研磨墊，例如已知IC1000(注冊商標，Nitta Haas公司制)等研磨墊。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特表2004-507076號公報

專利文獻2：日本特開2005-136400號公報

發明內容

發明所要解決的課題

但是，雖然上述專利文獻1、2中記載的研磨墊的平坦性能高，但另一方面，在要求更精密的研磨的情況下，劃痕性能尚不充分。

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種能夠在維持高研磨速率的同時減少劃痕的產生的研磨墊及其制造方法。

用于解決課題的手段

本發明人經過深入研究，結果發現，通過使用聚氨酯片在高濕度條件下的儲能模量與上述聚氨酯片在低濕度條件下的儲能模量相比充分小的研磨墊，能夠在維持高研磨速率的同時，減少被研磨物表面上的劃痕的產生。用于解決上述課題的本發明包含以下的方式。

〔1〕一種研磨墊，其為具備研磨層的研磨墊，所述研磨層具有包含大致球狀的氣泡的聚氨酯片，

在將預先暴露于溫度23℃、相對濕度90％的環境下的上述聚氨酯片在40℃、初始載荷148g、變形范圍0.1％、測定頻率1.6Hz、拉伸模式下的儲能模量設為E’(90％)，