[發(fā)明專利]陶瓷基板、層狀體和SAW器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880065230.2 | 申請日： | 2018-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN111201710A | 公開（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 下司慶一郎;長谷川干人;中山茂 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號： | H03H9/25 | 分類號： | H03H9/25;C04B35/00;C04B35/495 |
| 代理公司： | 北京瑞盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11300 | 代理人： | 劉昕;孟祥海 |
| 地址： | 日本國大阪府大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陶瓷 層狀 saw 器件 | ||
1.一種陶瓷基板，其由多晶陶瓷形成，并且具有支撐主表面，其特征在于，
在所述支撐主表面中，所述多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值為15μm以上且小于40μm，并且，
所述晶粒尺寸的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于1.5倍所述平均值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于，在所述支撐主表面中的殘余應(yīng)力為-300MPa以上且300MPa以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板由選自由尖晶石、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅、莫來石、堇青石、氧化鈣(CaO)、二氧化鈦、氮化硅、氮化鋁和碳化硅組成的組中的至少一種材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷基板，其特征在于，所述多晶陶瓷由尖晶石形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于，在所述支撐主表面中的殘余應(yīng)力為-300MPa以上且300MPa以下，并且所述多晶陶瓷由尖晶石形成。
6.一種層狀體，其特征在于，包括：
根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的陶瓷基板；以及
壓電基片，其由壓電材料形成并且具有結(jié)合主表面，
其中，所述陶瓷基板的所述支撐主表面和所述壓電基片的所述結(jié)合主表面通過范德華力彼此結(jié)合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層狀體，其特征在于，所述壓電基片由鉭酸鋰或鈮酸鋰形成。
8.一種SAW器件，其特征在于，包括：
根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的層狀體，以及
電極，其形成于所述壓電基片的主表面上，所述主表面位于與所述陶瓷基板相反的位置。
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