[發(fā)明專利]陶瓷基板、層狀體和SAW器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880065230.2
• 申請日: 2018-09-21
• 公開（公告）號: CN111201710A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 下司慶一郎;長谷川干人;中山茂
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;C04B35/00;C04B35/495
• 代理公司: 北京瑞盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11300
• 代理人: 劉昕;孟祥海

一種陶瓷基板，由多晶陶瓷形成，并且具有支撐主表面。在所述支撐主表面中，所述多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值為至少15μm且小于40μm，并且晶粒尺寸的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于所述1.5倍平均值。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種陶瓷基板、層狀體和SAW器件。

本申請要求享有基于在2017年10月12日提交的日本專利申請第2017-198780號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。

背景技術(shù)

SAW器件(聲表面波器件)被安裝在如移動(dòng)電話的通信設(shè)備中，以便除去電信號中包含的噪音。SAW器件具有在壓電基片上形成電極的結(jié)構(gòu)。為了在運(yùn)行過程中散熱，將壓電基片設(shè)置在由具有良好散熱性能的材料形成的基底基板上。

例如，由單晶藍(lán)寶石形成的基板可以用作基底基板。然而，如果將這種由單晶藍(lán)寶石形成的基板用作基底基板，則SAW器件的生產(chǎn)成本增加。為解決這個(gè)問題，已經(jīng)提出了一種具有如下結(jié)構(gòu)的SAW器件，即，其中將由多晶尖晶石形成的陶瓷基板用作基底基板，并且壓電基片和陶瓷基板通過范德華力彼此結(jié)合(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

引用列表

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本未經(jīng)審查的專利申請公開第2011-66818號

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的陶瓷基板是由多晶陶瓷形成并且具有支撐主表面的陶瓷基板。在所述支撐主表面中，所述多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值為15μm以上且小于40μm，并且所述晶粒尺寸的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于1.5倍平均值。

附圖說明

圖1為示出包括陶瓷基板和壓電基片的層狀體的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。

圖2為示出陶瓷基板的支撐主表面的示意性平面圖。

圖3為示意性地示出用于制造陶瓷基板、層狀體和SAW器件的方法的流程圖。

圖4為用于描述制造層狀體和SAW器件的方法的示意性剖面圖。

圖5為用于描述制造層狀體和SAW器件的方法的示意性剖面圖。

圖6為用于描述制造層狀體和SAW器件的方法的示意性剖面圖。

圖7為用于描述制造層狀體和SAW器件的方法的示意圖。

圖8為示出SAW器件的結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

[本公開所要解決的技術(shù)問題]

當(dāng)陶瓷基板和壓電基片具有不足的接合強(qiáng)度時(shí)，在SAW器件的制造過程中陶瓷基板和壓電基片彼此分離，這降低了SAW器件的制造中的成品率。為進(jìn)一步降低SAW器件的生產(chǎn)成本，需要進(jìn)一步提高陶瓷基板和壓電基片之間的結(jié)合強(qiáng)度。

因此，目的在于提供一種能以足夠的結(jié)合強(qiáng)度與壓電基片結(jié)合的陶瓷基板，以及包括所述陶瓷基板的層狀體和SAW器件。

[本公開的有益效果]

根據(jù)本公開的陶瓷基板，可以提供一種能以足夠的結(jié)合強(qiáng)度與壓電基片結(jié)合的陶瓷基板。

[本公開的實(shí)施方式描述]

首先，將列出并描述本公開的實(shí)施方式。根據(jù)本公開的陶瓷基板是由多晶陶瓷形成并且具有支撐主表面的陶瓷基板。在該陶瓷基板中，在支撐主表面中，多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值為15μm以上且小于40μm，并且晶粒尺寸的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于1.5倍平均值。