[發(fā)明專利]用于多頻率射頻(RF)偏置的RF濾波器

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880065144.1
• 申請日: 2018-10-02
• 公開（公告）號: CN111183496A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 亞歷克斯·帕特森;龍茂林
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01F30/00
• 分類號: H01F30/00;H01F19/08;H01F27/28;H03H7/01;H01J37/32;H01B5/08
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

射頻(RF)濾波器包括具有多個線圈區(qū)段的電感元件，所述多個線圈區(qū)段共同形成絞合磁導(dǎo)線的電纜的未分開線圈。至少兩個相鄰的線圈區(qū)段具有不同的匝距。絞合磁導(dǎo)線的電纜包括每通道兩根導(dǎo)線，并且被構(gòu)造用于至少一個通道。在電感元件的第一端部的絞合磁導(dǎo)線的電纜被構(gòu)造為連接到將接收來自電源的電力的電氣部件。電感元件的第二端部處的絞合磁導(dǎo)線的電纜被構(gòu)造用于連接至電源。終端電容元件在電感元件的第二端部與電源之間的相應(yīng)位置處電連接在參考接地電位與絞合磁導(dǎo)線的電纜的相應(yīng)的導(dǎo)線之間。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備。

背景技術(shù)

在各種半導(dǎo)體制造工藝中，射頻(RF)功率被傳輸至處理室，以產(chǎn)生等離子體和/或產(chǎn)生偏壓。例如加熱器組件的一或多個其他電動部件可于暴露至RF功率下操作。例如，該加熱器組件可構(gòu)造及設(shè)置成加熱該處理室內(nèi)的部件或區(qū)域。用于產(chǎn)生該等離子體和/或偏壓的RF功率會干擾電源和/或?qū)﹄娫丛斐蓳p壞。必須防止RF功率干擾和/或?qū)﹄娫丛斐蓳p壞。另外，將加熱器電源連接至嵌入處理室內(nèi)的RF電極中的加熱組件可加載RF功率而降低其效率。需要RF濾波器以將RF電極與加熱器電源隔離，電源是AC(交流)或DC(直流)，以使AC或DC電力可被提供至在RF電極內(nèi)的加熱組件而在該AC或DC供電路徑內(nèi)沒有RF功率侵入。正是于此背景下才產(chǎn)生本公開內(nèi)容。

發(fā)明內(nèi)容

在示例性實施方案中，公開了射頻(RF)濾波器。該RF濾波器包括電感元件，該電感元件包括至少2個線圈區(qū)段，這些線圈區(qū)段共同地形成絞合磁導(dǎo)線的電纜的未分開線圈。每個線圈區(qū)段包括在對應(yīng)的匝距處所構(gòu)造的絞合磁導(dǎo)線的電纜的未分開線圈的一部分。至少2個相鄰的線圈區(qū)段具有不同的匝距。絞合磁導(dǎo)線的電纜包括每個通道兩條導(dǎo)線且被構(gòu)造用于至少一個通道。在該電感元件的第一端部處的絞合磁導(dǎo)線的電纜被構(gòu)造用于連接至電氣部件。該電氣部件將從電源接收電力，該電源是DC電源或AC電源。在該電感元件的第二端部處的絞合磁導(dǎo)線的電纜被構(gòu)造用于連接至該電源。該RF濾波器還包括成組的終端電容元件，其包括用于該絞合磁導(dǎo)線的電纜的每條導(dǎo)線的單獨的終端電容元件。每個終端電容元件在該電感元件的第二端部和該電源之間的位置，電連接于參考接地電位與該絞合磁導(dǎo)線的電纜的相應(yīng)的導(dǎo)線之間。

在示例性實施方案中，公開了用于對RF功率進行濾波的方法。該方法包括在電源與將由該電源接收電力的電氣部件之間具有RF濾波器。該電源是DC電源或AC電源。該RF濾波器包括具有至少2個線圈區(qū)段的電感元件，這些線圈區(qū)段共同地形成絞合磁導(dǎo)線的電纜的未分開線圈。每個線圈區(qū)段包括以對應(yīng)的匝距所構(gòu)造的絞合磁導(dǎo)線的電纜的未分開線圈的一部分。至少2個相鄰的線圈區(qū)段具有不同的匝距。該絞合磁導(dǎo)線的電纜包括每個通道兩條導(dǎo)線且被構(gòu)造用于至少一個通道。在該電感元件的第一端部處的絞合磁導(dǎo)線的電纜連接至該電氣部件。于該電感元件的第二端部處的絞合磁導(dǎo)線的電纜連接至該電源。該RF濾波器還包括用于絞合磁導(dǎo)線的電纜的每條導(dǎo)線的單獨的終端電容元件。每個終端電容元件在該電感元件的第二端部和該電源之間的位置，電連接于參考接地電位與該絞合磁導(dǎo)線的電纜的相應(yīng)的導(dǎo)線之間。

在示例性實施方案中，公開用于對RF功率進行濾波的方法。該方法包括將來自電源的電力傳輸至在輸入配置內(nèi)的導(dǎo)線。這些導(dǎo)線連接至相應(yīng)的電容元件。每對單獨的導(dǎo)線被設(shè)定為向暴露至RF功率的電氣部件提供電力。該方法還包括在電感元件的輸入處，將來自該輸入配置內(nèi)的導(dǎo)線的電力傳遞至絞合磁導(dǎo)線的電纜內(nèi)的對應(yīng)磁導(dǎo)線。該電感元件包括至少2個線圈區(qū)段，這些線圈區(qū)段于該電感元件的輸入和該電感元件的輸出之間共同地形成該絞合磁導(dǎo)線的電纜的未分開線圈。每個線圈區(qū)段包括以對應(yīng)的匝距處所構(gòu)造的絞合磁導(dǎo)線的電纜的未分開線圈的一部分。至少2個相鄰的線圈區(qū)段具有不同的匝距。該方法還包括在該電感元件的輸出處，將來自該絞合磁導(dǎo)線的電纜內(nèi)的磁導(dǎo)線的電力傳遞至連接到暴露于RF功率的電氣部件的對應(yīng)導(dǎo)線。

其他方面及優(yōu)點將由以下詳細(xì)敘述、結(jié)合所附的附圖變得更明顯，附圖通過示例方式提供。

附圖說明

圖1A顯示按照本公開的一些實施方案的CCP處理室的示例性直立截面概要圖。