[發明專利]用于制造光電子器件的方法和光電子器件

在審

• 申請號: 201880065113.6
• 申請日: 2018-09-26
• 公開（公告）號: CN111183525A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: C.施瓦爾茲梅爾;M.曼德爾;R.瓦爾特;R.斯蒂格爾梅爾;M.施馬爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗OLED有限責任公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 任麗榮

本發明涉及一種用于制造光電子器件(100)的方法，該方法具有如下步驟：A)在載體(7)上提供半導體層序列(1)，其中，半導體層序列(1)設置用于發射輻射，其中，半導體層序列(1)具有至少一個n型摻雜的半導體層(11)、至少一個p型摻雜的半導體層(12)和布置在p型和n型摻雜的半導體層(11、12)之間的有源層(13)，B)將接觸層(3)直接施加到半導體層序列(1)上，接觸層阻止或減少鏡面層(4)的材料的擴散，其中，接觸層(3)具有最大10nm的層厚度，C)將鏡面層(4)直接施加到接觸層(3)上，并且D)將勢壘層(5)直接施加到鏡面層(4)上。

本發明涉及一種用于制造光電子器件的方法。此外，本發明還涉及一種光電子器件。

光電子器件，尤其是基于氮化銦鎵的發光二極管(LED)，在外延層的p側上優選具有銀，所述銀既用作觸點也用作鏡面。沉積層的結構在此決定了觸點電阻和LED的亮度，并且因此直接決定了效率。除了沉積以外，熱處理步驟也會導致鏡面材料的結構的改變和位于其下方的材料的擴散過程的發生，其在有限的可控范圍內既改變觸點電阻也改變反射率。

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種用于制造相應的光電子器件的方法，光電子器件具有均勻的發光圖像和/或良好的正向電壓。特別地，產生的光電子器件具有良好的亮度。

該技術問題或這些技術問題分別通過根據權利要求1和17的用于制造光電子器件的方法并且通過根據權利要求16的光電子器件解決。

本發明的有利的設計方案和擴展方案是從屬權利要求的主題。

在至少一種實施方式中，用于制造光電子器件的方法具有尤其是按照在此給出的順序的步驟A)至D)：

A)提供半導體層序列，

B)將接觸層直接施加到半導體層序列上，接觸層阻止或減少鏡面層的材料的擴散，其中，接觸層具有最大10nm的層厚度，

C)將鏡面層直接施加到接觸層上，并且

D)將勢壘層直接施加到鏡面層上。半導體層序列優選布置在載體上。半導體層序列設置用于發射輻射。半導體層序列具有至少一個n型摻雜的半導體層、至少一個p型摻雜的半導體層和布置在n型與p型摻雜的半導體層之間的有源層。

備選地或附加地，接觸層(Kontaktschicht)可以不是阻止或減少鏡面層的材料的擴散，而是一方面影響另外的層的生長特性和晶體取向，另一方面改變參與觸點的物質的組成。

根據至少一種實施方式，該方法具有步驟A)，提供半導體層序列。半導體層序列施加在載體上。半導體層序列包括至少一個n型摻雜的半導體層、至少一個p型摻雜的半導體層和布置在n型與p型摻雜的半導體層之間的有源層。半導體層序列優選基于III-V族化合物半導體材料。“基于III-V族化合物半導體材料”在本發明的上下文中表示，半導體層序列或半導體層序列的至少一個層包括III族氮化物-化合物半導體材料、優選In_xAl_yGa_1-x-yN，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且x+y≤1。在此，該材料不必強制性地具有根據上式的在數學上準確的組成。相反地，該材料可以具有一種或多種摻雜劑以及附加成分，其基本上不改變In_xAl_yGa_1-x-yN材料的典型物理特性。然而，為了簡單起見，上式僅包含晶格的基本成分(In、Al、Ga、N)，即使所述成分也可以部分地被少量的另外的物質替代。

半導體層序列包含具有至少一個pn結和/或一個或多個量子阱結構的有源層。在器件運行時，在有源層中產生電磁輻射。輻射的波長優選在紫外線和/或可見光范圍內、尤其是波長在420nm(含)與680nm(含)之間、例如在440nm(含)與480nm(含)之間。

根據至少一種實施方式，光電子器件是發光二極管，簡稱為LED。器件優選設置用于發射紫外的、藍色的、黃色的、綠色的、紅色的、橙色的或白色的光。