[發明專利]用于制造光電子器件的方法和光電子器件

在審

• 申請號: 201880065113.6
• 申請日: 2018-09-26
• 公開（公告）號: CN111183525A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: C.施瓦爾茲梅爾;M.曼德爾;R.瓦爾特;R.斯蒂格爾梅爾;M.施馬爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗OLED有限責任公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 任麗榮

1.一種用于制造光電子器件(100)的方法，所述方法具有如下步驟：

A)在載體(7)上提供半導體層序列(1)，其中，所述半導體層序列(1)設置用于發射輻射，其中，所述半導體層序列(1)具有至少一個n型摻雜的半導體層(11)、至少一個p型摻雜的半導體層(12)和布置在所述p型和n型摻雜的半導體層(11、12)之間的有源層(13)，

B)將接觸層(3)直接施加到所述半導體層序列(1)上，所述接觸層(3)阻止或減少鏡面層(4)的材料的擴散，其中，所述接觸層(3)具有最大10nm的層厚度，

C)將所述鏡面層(4)直接施加到所述接觸層(3)上，并且

D)將勢壘層(5)直接施加到所述鏡面層(4)上，其中，

-所述接觸層(3)由鋅或氧化鋅形成，

-所述鏡面層(4)由銀形成，其中，所述接觸層(3)用作用于所述鏡面層(4)的生長層，并且因此影響所述銀鏡面層(4)的晶粒尺寸分布和取向，并且

-所述接觸層(3)和所述勢壘層(5)具有不同的材料組成，其中，使用導電的金屬氮化物來形成所述勢壘層(5)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述接觸層(3)用作用于所述鏡面層(4)的生長層。

3.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述接觸層(3)的層厚度小于所述勢壘層(5)的層厚度。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述接觸層(3)的層厚度比所述勢壘層(5)的層厚度至少小1/20倍。

5.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述接觸層(3)的層厚度在0.05nm與3nm之間。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述接觸層(3)包括透明導電氧化物或金屬。

7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述接觸層(3)具有氧化鋅。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所述接觸層(3)具有鋅。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述接觸層(3)成形為整面的單層。

10.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述接觸層(3)結構化地成形并且直接施加到所述p型摻雜的半導體層(12)上，其中，所述鏡面層(4)直接后置于所述接觸層(3)，并且所述鏡面層(4)具有與所述接觸層(3)相同的結構化。

11.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述鏡面層(4)具有反光的金屬。

12.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述半導體層序列(1)具有氮化銦鎵或氮化鎵。

13.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述鏡面元件(4)同時形成用于使所述p型摻雜的半導體層(12)觸點接通的p型端子觸點。

14.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述接觸層和勢壘層(3、5)具有不同的材料。

15.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，借助濺射產生所述接觸層(3)。

16.一種光電子器件(100)，其由根據權利要求1至15中任一項所述的方法得到。