[發(fā)明專(zhuān)利]體電流旁路電阻器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880064207.1
• 申請(qǐng)日: 2018-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111164763A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·P·K·維杜拉;S·格科特佩里;J·穆?tīng)?/a>
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H03K17/687;H01L27/06;H01L27/12
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 傅遠(yuǎn)

描述了射頻集成電路(RFIC)。該RFIC包括開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，該FET包括源極區(qū)、漏極區(qū)、體區(qū)和柵極。該RFIC還包括耦合在柵極與體區(qū)之間的體旁路電阻器(Rb)。該RFIC還包括耦合在柵極與體區(qū)之間的柵極隔離電阻器(Rg)。該RFIC還包括耦合在體旁路電阻器與柵極隔離電阻器之間的二極管。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2018年6月5日提交的題為“BODY CURRENT BYPASS RESISTOR”的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.16/000,501的權(quán)益，該美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)要求于2017年10月6日提交的題為“BODY CURRENT BYPASS RESISTOR”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)No.62/569,435和于2017年10月9日提交的題為“BODY CURRENT BYPASS RESISTOR”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)No.62/569,816的權(quán)益，這些申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容明確地通過(guò)引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)總體上涉及集成電路(IC)。更具體地，本公開(kāi)涉及一種用于改善擊穿電壓和諧波性能的體電流旁路電阻器。

背景技術(shù)

移動(dòng)射頻(RF)芯片(例如，移動(dòng)RF收發(fā)器)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性因用于支持通信增強(qiáng)的附加電路功能而變得復(fù)雜。設(shè)計(jì)移動(dòng)RF收發(fā)器可以包括使用絕緣體上半導(dǎo)體技術(shù)。絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)技術(shù)將常規(guī)半導(dǎo)體(例如，硅)襯底替換為分層的半導(dǎo)體-絕緣體-半導(dǎo)體襯底以減少寄生器件電容并且提高性能。基于SOI的器件與常規(guī)的硅構(gòu)建器件不同，因?yàn)楣杞Y(jié)位于電隔離器(通常是掩埋氧化物(BOX)層)上方。然而，厚度減小的BOX層可能不能充分地減少由SOI層上的有源器件和支撐BOX層的SOI襯底的接近而引起的人為諧波。

例如，當(dāng)前使用SOI襯底來(lái)制造高性能互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)射頻(RF)開(kāi)關(guān)技術(shù)。盡管SOI襯底可以提供針對(duì)RF收發(fā)器中的帶外諧波的一些保護(hù)，但是仍然需要增加器件隔離度并且減少RF損耗。此外，使用SOI技術(shù)制造的晶體管可能會(huì)受到浮體效應(yīng)的影響，其中晶體管的本體收集在晶體管器件的結(jié)處生成的電荷。

發(fā)明內(nèi)容

描述了射頻集成電路(RFIC)。該RFIC包括開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，該FET包括源極區(qū)、漏極區(qū)、體區(qū)和柵極。該RFIC還包括耦合在柵極與體區(qū)之間的體旁路電阻器。該RFIC還包括耦合在柵極與體區(qū)之間的柵極隔離電阻器。該RFIC還包括耦合在體旁路電阻器與柵極隔離電阻器之間的二極管。

描述了一種構(gòu)造具有開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的射頻(RF)集成電路的方法。該方法包括將開(kāi)關(guān)FET的柵極連結(jié)到開(kāi)關(guān)FET的體區(qū)。該方法還包括在柵極與體區(qū)之間制造體旁路電阻器。該方法還包括在柵極與體區(qū)之間制造柵極隔離電阻器。

描述了一種射頻集成電路(RFIC)。該RFIC包括開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，該FET具有源極區(qū)、漏極區(qū)、體區(qū)和柵極。體區(qū)連結(jié)到柵極。該RFIC還包括用于將柵極與體區(qū)的體電流隔離的裝置。該RFIC還包括用于引導(dǎo)來(lái)自開(kāi)關(guān)FET的體區(qū)的體電流遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)FET的柵極的裝置。該RFIC還包括耦合在用于隔離的裝置與用于引導(dǎo)的裝置之間的二極管。

這已經(jīng)相當(dāng)廣泛地概述了本公開(kāi)的特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，以便可以更好地理解以下的詳細(xì)描述。下面將描述本公開(kāi)的附加特征和優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本公開(kāi)可以容易地用作修改或設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)的相同目的的其他結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，這樣的等同構(gòu)造沒(méi)有脫離如所附權(quán)利要求中闡述的本公開(kāi)的教導(dǎo)。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，將從以下描述中更好地理解被認(rèn)為是本公開(kāi)的特征的新穎特征(關(guān)于其組織和操作方法)、以及另外的目的和優(yōu)點(diǎn)。然而，應(yīng)當(dāng)明確地理解，提供每個(gè)附圖僅用于說(shuō)明和描述的目的，而非旨在作為對(duì)本公開(kāi)的范圍的限定。

附圖說(shuō)明

為了更完整地理解本公開(kāi)，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考以下描述。