[發明專利]體電流旁路電阻器

在審

• 申請號: 201880064207.1
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN111164763A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: R·P·K·維杜拉;S·格科特佩里;J·穆爾
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H03K17/687;H01L27/06;H01L27/12
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 傅遠

1.一種射頻集成電路(RFIC)，包括：

開關場效應晶體管(FET)，包括源極區、漏極區、體區和柵極；

體旁路電阻器，耦合在所述柵極與所述體區之間。

柵極隔離電阻器，耦合在所述柵極與所述體區之間；以及

二極管，耦合在所述體旁路電阻器與所述柵極隔離電阻器之間。

2.根據權利要求1所述的RFIC，其中內部電壓(Vint)等于所述開關FET的外部電壓(Vext)。

3.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述體旁路電阻器、所述二極管和所述柵極隔離電阻器串聯耦合在所述開關FET的所述體區與所述開關FET的所述柵極之間。

4.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述柵極隔離電阻器的電阻大于所述體旁路電阻器的電阻。

5.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述開關FET包括在絕緣體上半導體(SOI)器件上的互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管。

6.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述體旁路電阻器和所述二極管串聯耦合在所述開關FET的所述體區與所述開關FET的內部柵極電壓(Vgint)節點之間。

7.根據權利要求6所述的RFIC，還包括電耦合到所述開關FET的所述內部柵極電壓(Vgint)節點的電荷泵。

8.根據權利要求1所述的RFIC，被集成到RF前端模塊中，所述RF前端模塊被并入音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元、移動電話和便攜式計算機的至少之一中。

9.一種構造具有開關場效應晶體管(FET)的射頻(RF)集成電路的方法，包括：

將所述開關FET的柵極連結到所述開關FET的體區；

在所述柵極與所述體區之間制造體旁路電阻器；以及

在所述柵極與所述體區之間制造柵極隔離電阻器。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括制造耦合在所述體旁路電阻器與所述柵極隔離電阻器之間的隔離二極管。

11.根據權利要求9所述的方法，還包括制造耦合在所述體旁路電阻器與所述體區之間的隔離二極管。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括將所述開關FET集成到RF前端模塊中，所述RF前端模塊被并入音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元、移動電話和便攜式計算機的至少之一中。

13.一種射頻集成電路(RFIC)，包括：

開關場效應晶體管(FET)，包括源極區、漏極區、體區和柵極，其中所述體區連結到所述柵極；

用于將所述柵極與所述體區的體電流隔離的裝置；

用于引導來自所述體區的所述體電流遠離所述開關FET的所述柵極的裝置；以及

二極管，耦合在用于隔離的所述裝置與用于引導的所述裝置之間。

14.根據權利要求13所述的RFIC，其中內部電壓(Vint)等于所述開關FET的外部電壓(Vext)。

15.根據權利要求13所述的RFIC，其中用于隔離的所述裝置、所述二極管和用于引導的所述裝置串聯耦合在所述開關FET的所述體區與所述開關FET的所述柵極之間。

16.根據權利要求13所述的RFIC，其中所述開關FET包括具有絕緣體上半導體(SOI)晶片的互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管。