[發明專利]用于晶圓檢查的高級充電控制器的方法和設備

在審

• 申請號: 201880063511.4
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN111164727A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 張劍;陳慶久;王義向
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H01J37/22
• 分類號: H01J37/22;G01N23/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 張昊

提供了一種用于光束的高級充電控制的系統和方法。該系統包括：激光源，包括用于發射束的激光二極管；以及束均勻器，用于均勻所發射的束。系統和方法還包括：束成形器，被配置為使用變形棱鏡組對發射的束進行整形；以及驅動器，被配置為將成形的束引導到晶圓上的指定位置，其中激光源、束成形器和驅動器同軸對準。

相關申請的交叉參考

本申請要求于2017年9月29日提交的美國申請62/566,212的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開總體上涉及帶電粒子束領域，更具體地，涉及帶電粒子檢測的方法和設備。

背景技術

在集成電路(IC)的制造工藝中，對未完工或完工的電路部件進行檢查，以確保其按設計制造且無缺陷。利用光學顯微鏡的檢查系統通常具有達到幾百納米的分辨率，并且分辨率受到光的波長的限制。隨著IC部件的物理尺寸不斷減小到100納米甚至10納米以下，需要比光學顯微鏡具有更高分辨率的檢查系統。

帶電粒子(例如，電子)束顯微鏡(諸如掃描電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡(TEM))能夠使分辨率小于納米，用作用于檢查檢查特征尺寸小于100納米的IC部件的實用工具。利用SEM，單個初級電子束的電子或多個初級電子束的電子可聚焦在被檢查晶圓的預定掃描位置處。初級電子與晶圓相互作用，并且可以被反向散射或者會使得晶圓發射次級電子。包括反向散射電子和次級電子的電子束的強度可基于晶圓的內部和/或外部結構的特性而變化，并由此指示晶圓是否具有缺陷。

然而，典型的電子束檢查工具很難檢測多種類型的晶圓缺陷，從而限制了電子束檢查工具的有效性。改進缺陷檢測的一種方式是使用激光束照射來激活晶圓。對于這種類型的照射，激光束的有效控制存在困難。如本文所述的解決方案可以在檢查期間改進晶圓的控制和照射。

發明內容

本公開的實施例涉及用于晶圓檢查的高級充電控制器(advanced chargecontroller)和控制激光束照射的方法。根據本公開的實施例包括用于光束的高級充電控制的系統和方法，包括用于均勻所發射束的束均勻器、被配置為使用變形(anamorphic)棱鏡組對所發射束成形的束成形器以及被配置為將成形束引導到晶圓上的指定位置的驅動器，其中激光源、束成形器和驅動器同軸對準。

根據本公開的實施例還包括其中的激光源是激光二極管并且其中的激光源是準直激光的系統。另外，實施例包括變形棱鏡組，其包括兩個或更多個棱鏡的組。在一些實施例中，兩個或更多個棱鏡具有相同的幾何結構。在其它實施例中，兩個或更多個棱鏡具有不同的實施例。根據本公開的實施例還包括束均勻器，其是基于球面像差的束均勻器或微透鏡束均勻器。

根據本公開的進一步實施例通過修改束的尺寸和縱橫比來進一步對束進行成形。本公開還包括進入和離開棱鏡組的束同軸對準的實施例。

根據本公開的系統和方法還包括驅動器，其包括用于引導束的一個或多個楔狀件或者一個或多個板。根據本公開的實施例包括用于反射來自驅動器的束的反射鏡，使得束以基本為圓形的截面與晶圓相交。此外，反射鏡可以成角以使反射束以大約76°的角度與晶圓相交。

所公開實施例的附加目的和優點將在以下描述中部分闡述，并且部分將從描述中顯而易見，或者可以通過實施例的實踐來學習。所公開實施例的目的和優點可以通過權利要求中闡述的元件和組合來實現和獲得。

應當理解，如所聲明的，上面的一般描述和以下的詳細描述都是示例性的和說明性的，并且不限制所公開的實施例。

附圖說明

圖1是示出根據本公開的實施例的示例性電子束檢查(EBI)系統的示意圖。

圖2是示出根據本公開的實施例的可作為圖1的示例性電子束檢查的一部分的示例性電子束工具的示意圖。