[發明專利]工件加工用片及已加工工件的制造方法

有效

• 申請號: 201880063344.3
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN111149192B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 小笠原孝文;坂本美紗季;佐伯尚哉
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J133/04
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

本發明為一種工件加工用片，其具備基材與層疊于所述基材的單面側的粘著劑層，在所述粘著劑層內的位置中，在距所述粘著劑層的與所述基材為相反側的面的深度為100nm的位置處，利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率為20原子％以上、29原子％以下。該工件加工用片可邊抑制水滲入至工件加工用片與被切斷物的界面或工件加工用片與所得到的芯片的界面，邊利用流水良好地從被切斷物上去除在加工半導體晶圓等被切斷物時附著于該被切斷物的源自粘著劑層的粘著劑。

技術領域

本發明涉及一種可適宜地使用于切割的工件加工用片及使用了該工件加工用片的已加工工件的制造方法。

背景技術

硅、砷化鎵等半導體晶圓及各種封裝類(以下，有時將它們統一記作“被切斷物”)被制造成大直徑的狀態，將它們切斷(切割)成元件小片(以下，有時記作“芯片”)并分別分離(拾取)后，移送至作為后續工序的安裝(mount)工序。此時，半導體晶圓等被切斷物以貼附于具備基材及粘著劑層的工件加工用片的狀態，進行切割、清洗、干燥、擴展(expanding)、拾取及安裝等各項工序。

上述切割工序利用產生在旋轉的切割刀片與被切斷物或工件加工用片之間的摩擦熱，加熱切割刀片、被切斷物及工件加工用片。此外，在切割工序中，被切斷物及工件加工用片有時會產生切削片，而該切削片會附著于被切斷物。

因此，在進行切割工序時，通常會對切斷部分供給流水從而冷卻切割刀片等，且同時從被切斷物上去除所產生的切削片。

專利文獻1中公開了一種工件加工用片，其以促進這種利用流水的切削片的去除為目的，其中，紫外線照射前的粘著劑層的與基材為相反側的面對純水的接觸角為82°～114°，且對二碘甲烷的接觸角為44°～64°，并且紫外線照射前的粘著劑層的探針粘性測試(probe?tack?test)的峰值為294～578kPa。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第5019657號

發明內容

本發明要解決的技術問題

然而，在使用專利文獻1中公開的以往的工件加工用片進行切割工序時，無法充分地從被切斷物上去除源自工件加工用片的粘著劑層的粘著劑。

此外，通常起因于切割時的流水的供給，水有時會滲入至工件加工用片與被切斷物的界面或工件加工用片與所得到的芯片的界面。若發生這樣的水的滲入，則可能會發生芯片飛散或芯片缺損。

本發明是鑒于這樣的實際情況而完成的，其目的在于提供一種工件加工用片及使用了該工件加工用片的已加工工件的制造方法，該工件加工用片可邊抑制水滲入至工件加工用片與被切斷物的界面或工件加工用片與所得到的芯片的界面，邊利用流水良好地從被切斷物上去除在加工半導體晶圓等被切斷物時附著于該被切斷物的源自粘著劑層的粘著劑。

解決技術問題的技術手段

為了達成上述目的，第一，本發明提供一種工件加工用片，其具備基材與層疊于所述基材的單面側的粘著劑層，所述工件加工用片的特征在于，在所述粘著劑層內的位置中，在距所述粘著劑層的與所述基材為相反側的面的深度為100nm的位置處，利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率為20原子％以上、29原子％以下(發明1)。

在上述發明(發明1)的工件加工用片中，通過使距粘著劑層的與基材為相反側的面(以下有時稱作“粘著面”)的深度為100nm的位置的氧原子比率為上述范圍，粘著劑層內部的粘著劑對水具有規定的親和性，由此，可邊抑制水滲入至粘著面與被切斷物或所得到的芯片的界面，邊利用流水良好地去除附著于被切斷物的粘著劑。

在上述發明(發明1)中，所述粘著劑層的厚度優選為1.5μm以上且小于50μm(發明2)。