[發(fā)明專利]工件加工用片及已加工工件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880063344.3 | 申請日: | 2018-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN111149192B | 公開(公告)日: | 2023-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小笠原孝文;坂本美紗季;佐伯尚哉 | 申請(專利權(quán))人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;C09J133/04 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;謝順星 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 工件 工用 加工 制造 方法 | ||
1.一種工件加工用片,其具備基材與層疊于所述基材的單面?zhèn)鹊恼持鴦?,所述工件加工用片的特征在于?/p>
所述粘著劑層由活性能量射線固化性粘著劑構(gòu)成,
在所述粘著劑層內(nèi)的位置中,在距所述粘著劑層的與所述基材為相反側(cè)的面的深度為100nm的位置處,利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率為20原子%以上且29原子%以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,所述粘著劑層的厚度為1.5μm以上且小于50μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,所述粘著劑層的與所述基材為相反側(cè)的面的水接觸角為50°以上且80°以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,將所述工件加工用片對硅晶圓的粘著力設(shè)為F1,并將使所述工件加工用片在23℃的蒸餾水中浸漬12小時,進(jìn)一步以23℃干燥24小時后的所述工件加工用片對硅晶圓的粘著力設(shè)為F2時,由下述式(1)計算的粘著力的減小率為20%以上且50%以下,
粘著力的減小率(%)={(F1-F2)/F1}×100···(1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工件加工用片,其特征在于,所述粘著力F1為1000mN/25mm以上且10000mN/25mm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工件加工用片,其特征在于,所述粘著力F2為900mN/25mm以上且8000mN/25mm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,所述活性能量射線固化性粘著劑由含有丙烯酸類共聚物的粘著劑組合物形成,所述丙烯酸類共聚物包含選自丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙基卡必醇酯及(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯中的至少一種作為構(gòu)成聚合物的單體單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,其為切割片。
9.一種已加工工件的制造方法,其特征在于,其具備:
將權(quán)利要求1~8中任一項所述的工件加工用片的所述粘著劑層的與所述基材為相反側(cè)的面與工件貼合的貼合工序;
通過在所述工件加工用片上加工所述工件,從而得到層疊在所述工件加工用片上的已加工工件的加工工序;
對所述粘著劑層照射活性能量射線,使所述粘著劑層固化,從而降低所述工件加工用片對所述已加工工件的粘著力的照射工序;及
從活性能量射線照射后的所述工件加工用片上分離所述已加工工件的分離工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





