[發明專利]放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造裝置

在審

• 申請號: 201880062862.3
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN111164709A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 石岡典子;近藤浩夫;渡邊茂樹
• 申請（專利權）人: 國立研究開發法人量子科學技術研究開發機構
• 主分類號: G21G1/10
• 分類號: G21G1/10;G21K5/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;崔春植

本發明提供一種抑制制造時間的放射性同位素的制造方法。放射性同位素制造方法包括：對標的物質照射放射線束的步驟；以及將因照射上述放射線束而生成并轉移到氣體中的上述放射性同位素從該氣體提取的步驟。

技術領域

本發明涉及放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造裝置。

背景技術

癌癥的治療方法有切除、導入抗癌劑、外部放射線照射等，但現狀是，即使采用這些手段也不能治愈的癌癥仍剝奪了許多生命。因此，新型治療方法的開發是全世界面臨的緊迫課題。

砹211(²¹¹At)是釋放使細胞死亡的α射線的放射性同位素(RI)，因此作為用于導入體內的下一代癌癥治療藥而備受期待。²¹¹At的藥劑化研究在歐美首先開展，但是作為核心的²¹¹At的制造還不能滿足使許多醫院的治療成為可能的放射能量(數十GBq)的供應要求。

【在先技術文獻】

【非專利文獻】

非專利文獻1：渡邊茂樹、石岡典子等“關于TIARA的At-211新型大量制造方法的開發”第16次放射線過程研討會、2016年11月、東京。

非專利文獻2：K.Gagnon,et al.,“Design and evaluation of an externalhigh-current target for production of 211At”,Label.Compd.Radiopharm 2012,55436-440.

非專利文獻3：Kotaro Nagatsu,et al.,“Production of 211At by a verticalbeam irradiation method”,Applied Radiation and Isotopes,2014,94,363-371.

發明內容

(發明所要解決的問題)

在現有技術中，對作為標的物的固體金屬進行放射線照射而在該固體金屬內生成放射性同位素，將放射線照射后的該固體金屬取出并專門回收RI。在醫療用RI制造領域以固體金屬為標的物的照射中，如果照射時標的物發生損壞(熔化)，則不僅會妨礙生成RI的效率，而且生成的RI有泄漏的危險，因此在照射時確保標的物的完整性是最重要的課題。再者，對于醫療現場，迫切需要開發照射后能迅速獲得目標RI的手段，但是對于以金屬為標的物的照射方面，至今沒有成功的例子。

在²¹¹At制造中，上述問題是顯著的。通過對鉍(Bi)照射阿爾法(α)射線來生成²¹¹At，但是Bi作為標的物其熔點低，因此照射功率受限，在大批量制造方面存在問題。為此，一直在開發不會使Bi熔融的照射方式。另外，將照射過的固體Bi進行加熱，利用²¹¹At和Bi的飽和蒸汽壓差進行分離的以往的干式蒸餾分離步驟中，從固體Bi的取出至²¹¹At的分離與提純需要時間，存在產生半衰期約7小時的²¹¹At的衰減損耗的問題。

如此，在以固體為標的物的RI制造中，必須進行照射、標的物取出、從標的物分離以及提純目標RI的一系列步驟。

本發明的課題是，提供抑制制造時間的放射性同位素的制造方法。

(解決問題所采用的措施)

為解決上述課題，采用以下措施。

即，第一個方式是，

一種放射性同位素的制造方法，包括：

對標的物質照射放射線束的步驟；以及

將因上述放射線束的照射而生成且轉移到氣體中的上述放射性同位素從該氣體提取。