[發(fā)明專利]放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880062862.3 | 申請日： | 2018-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN111164709A | 公開（公告）日： | 2020-05-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 石岡典子;近藤浩夫;渡邊茂樹 | 申請（專利權(quán)）人： | 國立研究開發(fā)法人量子科學(xué)技術(shù)研究開發(fā)機(jī)構(gòu) |
| 主分類號： | G21G1/10 | 分類號： | G21G1/10;G21K5/08 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;崔春植 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 放射性同位素 制造 方法 裝置 | ||
1.一種放射性同位素的制造方法，包括：
對標(biāo)的物質(zhì)照射放射線束的步驟；以及
將因上述放射線束的照射而生成并轉(zhuǎn)移到氣體中的上述放射性同位素從上述氣體中提取的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射性同位素的制造方法，包括：
在照射上述放射線束之前或者在照射上述放射線束過程中，加熱上述標(biāo)的物質(zhì)的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放射性同位素的制造方法，其中，在上述放射線束的照射中，上述標(biāo)的物質(zhì)的至少一部分為液體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的放射性同位素的制造方法，上述放射性同位素為17族或18族的元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的放射性同位素的制造方法，其中，
上述標(biāo)的物質(zhì)為在照射上述放射線束時(shí)的壓力下氣化時(shí)的溫度比上述放射性同位素在上述壓力下氣化時(shí)的溫度高的物質(zhì)，
在從上述氣體中提取上述放射性同位素時(shí)，提取從溫度被調(diào)整為上述放射性同位素在上述壓力下氣化時(shí)的溫度以上、且低于上述標(biāo)的物質(zhì)在上述壓力下氣化時(shí)的溫度的溫度范圍內(nèi)的、由上述標(biāo)的物質(zhì)生成并轉(zhuǎn)移到氣體中的上述放射性同位素。
6.一種用于制造放射性同位素的放射性同位素制造裝置，包括：
容納容器，用于容納標(biāo)的物質(zhì)；
射線束導(dǎo)入部，其為用于將放射線束照射于上述標(biāo)的物質(zhì)的上述放射線束的通道；以及
提取部，其用于將因上述放射線束而生成并轉(zhuǎn)移至氣體中的放射線同位素從該氣體中提取，
上述容納容器與上述提取部以能夠使包含上述放射性同位素的上述氣體流過的方式氣密地連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射性同位素制造裝置，包括用于加熱上述容納容器的加熱部。
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