[發明專利]存儲器陣列重置讀取操作

在審

• 申請號: 201880062025.0
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN111133516A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: J·賓福特;M·赫爾姆;W·菲利皮亞克;M·霍斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/20
• 分類號: G11C16/20;G11C16/26;G11C16/04;G06F12/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發明描述與重置讀取相關的系統、裝置及方法。可使用重置讀取以起始存儲器陣列的部分至第一狀態的轉變或將存儲器陣列的部分維持在例如瞬時狀態的第一狀態下。重置讀取可提供高度并行化、高能效選項以確保存儲器塊處于所述第一狀態下。重置讀取的各種模式可根據不同輸入而配置。

交叉參考

本專利申請案主張Binfet等人于2017年8月28日申請的名為“存儲器陣列重置讀取操作(Memory Array Reset Read Operation)”的第15/688,645號美國專利申請案的優先權，所述美國專利申請案轉讓給本受讓人且其全文是以引用的方式明確地并入。

背景技術

下文大體上涉及一種系統及存儲器裝置，且更特定地說，涉及一種三維(three-dimensional，3D)與非(Not-AND，NAND)存儲器上的重置讀取操作。

系統可包含經由一或多個總線耦合以在例如計算機、無線通信裝置、物聯網、相機、數字顯示器等等的多個電子裝置中管理信息的各種種類的存儲器裝置及控制器。存儲器裝置廣泛地用以在此類電子裝置中存儲信息。通過編程存儲器單元的不同狀態來存儲信息。舉例來說，二進制存儲器單元具有兩個狀態，通常被表示為邏輯“1”或邏輯“0”。多于兩個狀態可存儲于存儲器單元中。為了存取所存儲信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的所存儲狀態。為了存儲信息，電子裝置的組件可在存儲器裝置中寫入或編程狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(random accessmemory，RAM)、只讀存儲器(read only memory，ROM)、動態RAM(dynamic RAM，DRAM)、同步動態RAM(synchronous dynamic RAM，SDRAM)、鐵電RAM(ferroelectric RAM，FeRAM)、磁性RAM(magnetic RAM，MRAM)、電阻性RAM(resistive RAM，RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(phasechange memory，PCM)、3維交叉點存儲器(3-dimensional cross-point memory，3DXPoint^TM memory)、3維NAND(3-dimensional NAND，3D NAND)存儲器等等。存儲器裝置可為易失性的或非易失性的。非易失性存儲器單元，例如3D NAND存儲器單元，可甚至在不存在外部電源的情況下仍歷時延長的時間段而維持其所存儲邏輯狀態。除非易失性存儲器電池，例如DRAM電池，由外部電源周期性地刷新，否則所述電池會隨時間推移而失去其所存儲狀態。3D NAND存儲器裝置相比于其它非易失性及易失性存儲器裝置可具有提高的性能。

大體來說，改進存儲器裝置可包含增大存儲器單元密度、提高讀取/寫入速度、增強可靠性、延長數據保持、降低功率消耗或縮減制造成本，以及其它度量。存儲器裝置的此改進可產生提高的系統性能。然而，在一些狀況下，存儲器單元的閾值電壓分布的擴寬會產生會不利地影響系統性能的提高的讀取窗口預算及提高的位誤差率。

附圖說明

本文中的揭示內容涉及且包含以下各圖：

圖1展示根據本發明的各種實施例的支持存儲器陣列重置讀取操作的實例存儲器裝置。

圖2展示根據本發明的各種實施例的支持存儲器陣列重置讀取操作的3D NAND存儲器陣列的示范性圖式。

圖3展示根據本發明的各種實施例的支持存儲器陣列重置讀取操作的3D NAND存儲器單元的示范性圖式。

圖4展示根據本發明的各種實施例的支持存儲器陣列重置讀取操作的3D NAND存儲器單元的示范性橫截面圖。

圖5展示根據本發明的各種實施例的支持存儲器陣列重置讀取操作的3D NAND存儲器陣列的示范性圖式。

圖6繪示根據本發明的實施例的支持存儲器陣列重置讀取操作的電路的實例。