[發明專利]存儲器陣列重置讀取操作

在審

• 申請號: 201880062025.0
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN111133516A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: J·賓福特;M·赫爾姆;W·菲利皮亞克;M·霍斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/20
• 分類號: G11C16/20;G11C16/26;G11C16/04;G06F12/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種方法，其包括：

識別用于將存儲器陣列的至少一個部分設置為臨時狀態的讀取命令的部分；

至少部分地基于所述讀取命令的所述部分而識別所述存儲器陣列的所述至少一個部分；及

至少部分地基于識別所述存儲器陣列的所述至少一個部分而對所述存儲器陣列的所述至少一個部分執行所述讀取命令的所述部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中執行所述讀取命令的所述部分包括：

執行讀取操作的讀取恢復部分，其中所述讀取操作包括所述讀取恢復部分及數據感測部分。

3.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

將施加至與所述至少一個部分相關聯的所有字線的電壓增大至高于所述至少一個部分的存儲器單元的閾值電壓的第一電壓；

將施加至所述至少一個部分的至少一個選擇柵極裝置的至少一個柵極的電壓增大至高于所述至少一個選擇柵極裝置的第二閾值電壓的第二電壓；及

將施加至所述至少一個部分的源極、漏極、位線或其組合的電壓設置為第三電壓。

4.根據權利要求3所述的方法，其進一步包括：

至少部分地基于達到所述第一電壓而將施加至所有字線的所述電壓從所述第一電壓減小至第四電壓；及

至少部分地基于減小施加至所有字線的所述電壓而將施加至所述至少一個選擇柵極裝置的所述至少一個柵極的所述電壓從所述第二電壓減小至低于所述第二閾值電壓。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述臨時狀態包括：

所述至少一個部分的存儲器單元的瞬時狀態，其包含在執行所述讀取命令的所述部分之后將所述存儲器單元的字線與溝道電位差保持在低于所述存儲器單元的源極、漏極、位線或其組合的電壓的電平下。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

確定自所述至少一個部分的最后讀取操作以來的持續時間，其中識別所述存儲器陣列的所述至少一個部分是至少部分地基于確定所述持續時間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個部分對應于所述存儲器陣列的單個塊。

8.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

確定執行所述讀取命令的所述部分的模式，其中執行所述讀取命令的所述部分是至少部分地基于確定所述模式。

9.根據權利要求8所述的方法，其進一步包括：

識別所述存儲器陣列的產品設計識別，其中確定所述模式包括確定所述存儲器陣列的數個部分，將至少部分地基于所述產品設計識別而對所述數個部分執行所述讀取命令的所述部分。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括：

至少部分地基于確定所述數個部分而對所述存儲器陣列的多個部分同時執行所述讀取命令的所述部分。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述多個部分包括所述存儲器陣列的總數目個塊。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述存儲器陣列包括：

至少一個三維與非NAND存儲器單元。

13.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

接收執行所述讀取命令的請求；及

至少部分地基于接收到所述請求而起始所述讀取命令的所述部分。

14.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括：

識別與所述讀取命令的所述部分相關聯的設置特征及修整條件；及

至少部分地基于識別所述設置特征及所述修整條件而確定用于執行所述讀取命令的所述部分的配置，其中執行所述讀取命令的所述部分是至少部分地基于確定所述配置。