[發(fā)明專利]攝像元件、其制造方法和電子設(shè)備

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880060785.8
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN111133581A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 名取太知
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G02B1/11;G02B5/22;H04N5/369
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

1.一種攝像元件，其包括：

光接收傳感器，其執(zhí)行入射光的光電轉(zhuǎn)換；

保護(hù)基板，其保護(hù)所述光接收傳感器的作為光入射面的上表面?zhèn)龋?/p>

框架，其布置在所述光接收傳感器和所述保護(hù)基板之間的外圍部分中，并且利用無機(jī)材料形成；以及

紅外截止濾波器層，其形成在與所述框架相同平面的內(nèi)側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中，

形成于相同平面上的所述框架和所述紅外截止濾波器層通過粘合劑與平坦化膜在整個(gè)相對的區(qū)域結(jié)合，所述平坦化膜形成在所述光接收傳感器的最上部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，還包括：

低反射膜，其位于平坦化膜和所述保護(hù)基板之間的預(yù)定位置處，所述平坦化膜形成在所述光接收傳感器的最上部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的攝像元件，其中，

所述低反射膜形成在形成于相同平面上的所述框架和所述紅外截止濾波器層與所述光接收傳感器之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的攝像元件，其中，

所述低反射膜形成在形成于相同平面上的所述框架和所述紅外截止濾波器層與所述保護(hù)基板之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的攝像元件，其中，

所述低反射膜形成在所述框架與所述光接收傳感器之間以及所述紅外截止濾波器層與所述保護(hù)基板之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的攝像元件，其中，

所述低反射膜具有至少第一低反射膜和第二低反射膜兩層，

所述第一低反射膜形成在形成于相同平面上的所述框架和所述紅外截止濾波器層與所述保護(hù)基板之間，并且

所述第二低反射膜形成在所述框架與所述光接收傳感器之間以及所述紅外截止濾波器層與所述保護(hù)基板之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中，

所述框架利用玻璃形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中，

所述框架利用硅形成。

10.一種攝像元件的制造方法，所述方法包括：

在保護(hù)光接收傳感器的保護(hù)基板上的所述光接收傳感器的外圍部分的位置處形成框架，所述框架利用無機(jī)材料形成；

在與所述框架相同平面上的內(nèi)側(cè)形成紅外截止濾波器層；和

通過粘合劑將形成于相同平面上的所述框架和所述紅外截止濾波器層與所述光接收傳感器結(jié)合。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像元件的制造方法，其中，

通過在利用無機(jī)材料形成的基板中形成貫通孔來形成所述框架，并且將其中形成有所述框架的所述基板與所述保護(hù)基板彼此結(jié)合，由此在所述保護(hù)基板上形成所述框架。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像元件的制造方法，其中，

通過蝕刻利用無機(jī)材料形成的基板的形成有所述紅外截止濾波器層的區(qū)域至期望的厚度，在所述保護(hù)基板上形成所述框架。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像元件的制造方法，還包括：

在平坦化膜和所述保護(hù)基板之間的預(yù)定位置處形成低反射膜，所述平坦化膜形成在所述光接收傳感器的最上部。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像元件的制造方法，其中，

以晶圓狀態(tài)進(jìn)行直到通過所述粘合劑結(jié)合為止的步驟，之后以芯片尺寸進(jìn)行切割。

15.一種電子設(shè)備，其設(shè)有攝像元件，所述攝像元件包括：

光接收傳感器，其執(zhí)行入射光的光電轉(zhuǎn)換；

保護(hù)基板，其保護(hù)所述光接收傳感器的作為光入射面的上表面?zhèn)龋?/p>

框架，其布置在所述光接收傳感器和所述保護(hù)基板之間的外圍部分中，并且利用無機(jī)材料形成；以及

紅外截止濾波器層，其形成在與所述框架相同平面的內(nèi)側(cè)。