[發明專利]攝像元件、其制造方法和電子設備在審
| 申請號: | 201880060785.8 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN111133581A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 名取太知 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G02B1/11;G02B5/22;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 元件 制造 方法 電子設備 | ||
本技術涉及:能夠抑制在紅外截止濾波器層中產生空隙的攝像元件、該攝像元件的制造方法和電子設備。該攝像元件設有:光接收傳感器,其對入射到其上的光進行光電轉換;玻璃蓋片,其保護光接收傳感器的上表面,該上表面用作光接收傳感器的光入射面;框架,其布置在光接收傳感器和玻璃蓋片之間的外圍部分中,并且由無機材料形成;以及紅外截止濾波器層,其形成在框架內,同時與框架處于相同的平面上。本技術例如可以應用于具有CSP結構的攝像元件等。
技術領域
本技術涉及攝像元件、攝像元件的制造方法和電子設備,特別地,涉及使得能夠抑制在紅外截止濾波器層中產生空隙的攝像元件、攝像元件的制造方法和電子設備。
背景技術
已經提出了與固態攝像元件基板一體形成紅外截止濾波器的方法。例如,專利文獻1公開了一種相機模塊,其中,紅外截止濾波器設于形成在固態攝像元件基板的片上透鏡的上表面上的平坦化膜上,玻璃基板布置在紅外截止濾波器上。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:日本未審查專利申請公開第2013-137337號
發明內容
本發明解決的技術問題
然而,在專利文獻1的配置中,在紅外截止濾波器和玻璃基板之間沒有粘合劑,并且在固化通過旋轉涂覆形成的紅外截止濾波器之后結合玻璃基板。因此,在紅外截止濾波器和玻璃基板之間會產生空隙(間隙),這可能導致光學特性的惡化和任何的圖像缺陷。
鑒于這種情況提出了本技術,本技術旨在使得能夠抑制在紅外截止濾波器層中產生空隙。
解決問題的技術方案
根據本技術的第一方面的攝像元件包括:光接收傳感器,其執行入射光的光電轉換;保護基板,其保護所述光接收傳感器的作為光入射面的上表面側;框架,其布置在所述光接收傳感器和所述保護基板之間的外圍部分中,并且利用無機材料形成;以及紅外截止濾波器層,其形成在與所述框架相同平面的內側。
根據本技術的第二方面的攝像元件的制造方法包括:在保護光接收傳感器的保護基板上的所述光接收傳感器的外圍部分的位置處形成框架,所述框架利用無機材料形成;在與所述框架相同平面上的內側形成紅外截止濾波器層;和通過粘合劑將形成于相同平面上的所述框架和所述紅外截止濾波器層與所述光接收傳感器結合。
在本技術的第二方面中,在保護光接收傳感器的保護基板上的所述光接收傳感器的外圍部分的位置處形成利用無機材料形成的框架;在與所述框架相同平面上的內側形成紅外截止濾波器層;并且,通過粘合劑將形成于相同平面上的所述框架和所述紅外截止濾波器層與所述光接收傳感器結合。
根據本技術的第三方面的電子設備設有攝像元件,所述攝像元件包括:光接收傳感器,其執行入射光的光電轉換;保護基板,其保護所述光接收傳感器的作為光入射面的上表面側;框架,其布置在所述光接收傳感器和所述保護基板之間的外圍部分中,并且利用無機材料形成;以及紅外截止濾波器層,其形成在與所述框架相同平面的內側。
在本技術的第一和第三方面中,所述攝像元件設有:光接收傳感器,其執行入射光的光電轉換;保護基板,其保護所述光接收傳感器的作為光入射面的上表面側;框架,其布置在所述光接收傳感器和所述保護基板之間的外圍部分中,并且利用無機材料形成;以及紅外截止濾波器層,其形成在與所述框架相同平面的內側。
所述攝像元件和所述電子設備可以是獨立的裝置或者是結合到其它裝置中的模塊。
本發明的效果
根據本技術的第一至第三方面,能夠抑制在紅外截止濾波器層中產生空隙。
應當指出,這里所述的效果并非限制性的,也可以是本公開所述的任一效果。
附圖說明
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼半導體解決方案公司,未經索尼半導體解決方案公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880060785.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:電接頭配置
- 下一篇:用于視頻編碼的神經網絡方法和裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





