[發明專利]半導體裝置制造用粘接膜及其制造方法、以及半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201880060518.0 | 申請日: | 2018-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN111095505A | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發明(設計)人: | 大久?;萁?/a>;夏川昌典 | 申請(專利權)人: | 日立化成株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;B32B7/12;B32B37/12;C09J7/22;H01L21/60;H01L21/683 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 用粘接膜 及其 方法 以及 | ||
本公開的半導體裝置制造用粘接膜的制造方法依次包含以下工序:(A)準備至少具有寬度為100mm以下的帶狀的載體膜和按照將載體膜的表面覆蓋的方式形成的粘接劑層的層疊體的工序;和(B)通過對粘接劑層進行模切,獲得在載體膜上按照在載體膜的長度方向上排列的方式配置的多個粘接劑片的工序,其中,在(B)工序中進行模切時,按照滿足以下不等式(1)所示條件的方式,在粘接劑層及載體膜中刻入切痕,粘接劑片具有在長方形或正方形的至少一邊中形成有凸部及凹部中的至少一個的形狀。式中,D為切痕相對于載體膜的深度(單位μm)、T為載體膜的厚度(單位μm)。0D/T≤0.6 (1)。
技術領域
本公開涉及半導體裝置的制造工藝中使用的粘接膜及其制造方法、以及半導體裝置及其制造方法。
背景技術
一直以來,半導體裝置經過以下工序制造。首先,在切割用粘合片材上粘貼半導體晶片,在此狀態下將半導體晶片單片化成半導體芯片。之后,實施拾取工序、安裝工序、回流焊工序及芯片接合工序等。專利文獻1公開了兼具在切割工序中固定半導體晶片的功能和在芯片接合工序中使半導體芯片與基板粘接的功能的粘接片材(切割-芯片接合片材)。
現有專利文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2007-288170號公報
發明內容
發明要解決的技術問題
然而,近年來隨著面向以智能手機為代表的小型設備的半導體裝置的發展,半導體裝置的制造工藝與以往相比也有顯著的變化。例如,不實施使用了專利文獻1所記載的粘接片材(切割-芯片接合片材)的切割工序及芯片接合工序的工藝、或者不實施回流焊工序的工藝的實用化有所發展。與此同時,半導體裝置的制造工藝中使用的粘接膜也需要新型的方式。除了該狀況之外,本發明人們為了應對搭載半導體裝置的小型設備的高功能化及薄型化等,進行了便于用于在基板的受限的特定區域上粘接與其相應形狀的半導體芯片的粘接膜的開發。
現有的半導體裝置中,一般來說半導體芯片的形狀與用于將其粘接在基板上的粘接劑片的形狀是相同的,例如它們的形狀為長方形或正方形。但是,例如在待粘接半導體芯片的基板的區域有所限制時、或者在不同于以往的位置上需要半導體芯片與基板的電連接時,使用比以往形狀更為復雜形狀的粘接劑片的需求有所增加。
本公開的目的在于提供具備對于高效地實施半導體裝置的制造工藝中的粘接工序有用的復雜形狀的粘接劑片的粘接膜及足夠穩定地制造該粘接膜的方法。另外,本公開的目的在于提供使用了復雜形狀的粘接劑片的半導體裝置及其制造方法。
用于解決技術問題的手段
本公開提供在半導體裝置的制造工藝中使用的粘接膜的制造方法。該制造方法依次包含以下工序:
(A)準備至少具有寬度為100mm以下的帶狀的載體膜和按照將所述載體膜的表面覆蓋的方式形成的粘接劑層的層疊體的工序;
(B)通過對粘接劑層進行模切、獲得在載體膜上按照在載體膜的長度方向上排列的方式配置的多個粘接劑片的工序,
其中,在(B)工序中進行模切時,按照滿足以下不等式(1)所示條件的方式,對粘接劑層及載體膜刻入切痕,
粘接劑片具有在長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部中的至少一個的形狀,
0D/T≤0.6 (1)
[式中,D為切痕相對于載體膜的深度(單位為μm),T為載體膜的厚度(單位為μm)。]
通過經過上述(A)工序及(B)工序,可制造具備寬度為100mm以下的帶狀的載體膜和在載體膜上按照在載體膜的長度方向上排列的方式配置的多個粘接劑片的粘接膜。(B)工序中,通過按照滿足不等式(1)所示條件的方式刻入切痕,從而可以足夠穩定地制造上述構成的粘接膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





