[發明專利]半導體裝置制造用粘接膜及其制造方法、以及半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201880060518.0 | 申請日: | 2018-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN111095505A | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發明(設計)人: | 大久保惠介;夏川昌典 | 申請(專利權)人: | 日立化成株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;B32B7/12;B32B37/12;C09J7/22;H01L21/60;H01L21/683 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 白麗 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 用粘接膜 及其 方法 以及 | ||
1.一種粘接膜的制造方法,其為半導體裝置制造用粘接膜的制造方法,其依次包含以下工序:
(A)準備至少具有寬度為100mm以下的帶狀的載體膜和按照將所述載體膜的表面覆蓋的方式形成的粘接劑層的層疊體的工序;和
(B)通過對所述粘接劑層進行模切、獲得在所述載體膜上按照在所述載體膜的長度方向上排列的方式配置的多個粘接劑片的工序,
其中,在(B)工序中進行所述模切時,按照滿足以下不等式(1)所示的條件的方式,對所述粘接劑層及所述載體膜刻入切痕,
所述粘接劑片具有在長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部中的至少一個的形狀,
0<D/T≤0.6 (1)
式中,D為切痕相對于所述載體膜的深度,單位為μm;T為所述載體膜的厚度,單位為μm。
2.根據權利要求1所述的粘接膜的制造方法,其中,所述粘接劑片具有6個以上的角。
3.根據權利要求2所述的粘接膜的制造方法,其中,所述粘接劑片的形狀為L字型。
4.根據權利要求1所述的粘接膜的制造方法,其中,所述粘接劑片具有8個以上的角。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的粘接膜的制造方法,其中,
所述層疊體進一步具有按照將所述粘接劑層覆蓋的方式配置的保護膜,
按照滿足所述不等式(1)所示的條件的方式,對所述保護膜、所述粘接劑層及所述載體膜刻入切痕。
6.一種粘接膜,其為半導體裝置制造用粘接膜,其具備:
寬度為100mm以下的帶狀的載體膜;
在所述載體膜上按照在所述載體膜的長度方向上排列的方式配置的多個粘接劑片;以及
按照沿著所述粘接劑片的外緣的方式形成于所述載體膜上的切痕,
其中,所述切痕的深度及所述載體膜的厚度滿足以下不等式(1)所示的條件,
所述粘接劑片具有在長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部中的至少一個的形狀,
0<D/T≤0.6 (1)
式中,D為切痕相對于所述載體膜的深度,單位為μm;T為所述載體膜的厚度,單位為μm。
7.根據權利要求6所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片具有6個以上的角。
8.根據權利要求7所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片的形狀為L字型。
9.根據權利要求6所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片具有8個以上的角。
10.根據權利要求6~9中任一項所述的粘接膜,其進一步具備保護構件,該保護構件將所述粘接劑片的與所述載體膜一側的第一面相反側的第二面覆蓋,且具有與所述粘接劑片相同的形狀。
11.根據權利要求6~10中任一項所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片的面積為10~200mm2。
12.根據權利要求6~11中任一項所述的粘接膜,其中,所述載體膜的表面的被所述多個粘接劑片覆蓋的區域的比例以所述載體膜的面積為基準計為10~60%。
13.根據權利要求6~12中任一項所述的粘接膜,其中,所述載體膜與所述粘接劑片之間的密合力為2N/m以上。
14.根據權利要求6~13中任一項所述的粘接膜,其中,所述載體膜的厚度為10~200μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





