[發(fā)明專利]三氯硅烷制造裝置以及三氯硅烷的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880060343.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111108065A | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 弘田賢次;荻原克彌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社德山 |
| 主分類號(hào): | C01B33/107 | 分類號(hào): | C01B33/107;B01D39/20 |
| 代理公司: | 北京信諾創(chuàng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11728 | 代理人: | 劉金峰 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅烷 制造 裝置 以及 方法 | ||
本發(fā)明的目的為防止由在過濾器元件(80)部分產(chǎn)生的鹽酸所引起的腐蝕及應(yīng)力腐蝕破裂。三氯硅烷制造裝置(1)包括生成三氯硅烷的反應(yīng)裝置(2)、以及去除反應(yīng)殘?jiān)倪^濾器裝置(3),并且所述過濾器裝置(3)具備由耐腐蝕性材料構(gòu)成的過濾器元件。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種三氯硅烷制造裝置以及三氯硅烷的制造方法。
背景技術(shù)
高純度的三氯硅烷(TCS、SiHCl3)用于制造作為半導(dǎo)體及太陽(yáng)電池的材料來使用的多晶硅。三氯硅烷例如是經(jīng)過以下的反應(yīng)路徑而獲得。首先,使金屬硅粉體(Si)與氯化氫(HCl)反應(yīng)。在此情況下,作為主反應(yīng),如式(1)所示生成三氯硅烷,但作為副反應(yīng),如式(2)所示產(chǎn)生四氯硅烷(STC、SiCl4)。四氯硅烷被回收后再利用,如式(3)所示轉(zhuǎn)化為三氯硅烷。另外,還存在不使用氯化氫,而通過式(3)的反應(yīng)來制造三氯硅烷的情況。
Si+3HCl→SiHCl3+H2 (1)
Si+4HCl→SiCl4+2H2 (2)
3SiCl4+2H2+Si→4SiHCl3 (3)
從進(jìn)行所述反應(yīng)的反應(yīng)裝置中回收的反應(yīng)生成物中,含有包含三氯硅烷、低沸點(diǎn)硅烷及四氯硅烷等的氯硅烷化合物,因此為了獲得高純度的三氯硅烷氣體,需要將反應(yīng)生成物純化。但是,反應(yīng)生成物中還包含未反應(yīng)的金屬硅粉體。因此,在從反應(yīng)裝置向其下游的純化裝置中直接供給反應(yīng)生成物的情況下,會(huì)在純化裝置中產(chǎn)生由金屬硅粉體所引起的侵蝕(erosion)及堵塞。此未反應(yīng)的金屬硅粉體能夠通過在反應(yīng)裝置與純化裝置之間設(shè)置過濾器裝置而去除。
在此,由于金屬硅粉體為極硬的物質(zhì),故而認(rèn)為過濾器裝置的磨損成為問題。專利文獻(xiàn)1中公開了一種三氯硅烷的制造裝置,其所包括的固氣分離裝置設(shè)置有作為耐磨損性材料的金屬制的燒結(jié)過濾器元件。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:中國(guó)實(shí)用新型公告第201643908號(hào)說明書
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題
然而,為了防止過濾器裝置的損傷,本發(fā)明人獨(dú)立地發(fā)現(xiàn)所述現(xiàn)有技術(shù)存在改善的余地。
本發(fā)明的一形態(tài)是鑒于所述問題點(diǎn)而形成,其目的為防止三氯硅烷制造裝置中的由腐蝕及應(yīng)力所引起的腐蝕破裂(以下稱為“應(yīng)力腐蝕破裂”)。
解決問題的技術(shù)手段
為了解決所述問題,本發(fā)明人進(jìn)行深入研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過對(duì)過濾器元件使用耐腐蝕性材料,能夠抑制過濾器元件的腐蝕、以及應(yīng)力腐蝕破裂的發(fā)生。即,本發(fā)明包含以下的構(gòu)成。
一種三氯硅烷制造裝置,包括:反應(yīng)裝置,使用金屬硅粉體來生成三氯硅烷;以及過濾器裝置,從通過所述反應(yīng)裝置而生成的包含三氯硅烷及反應(yīng)殘?jiān)姆磻?yīng)生成物中去除所述反應(yīng)殘?jiān)黄涮卣髟谟冢鲞^濾器裝置具備由耐腐蝕性材料構(gòu)成的過濾器元件。
發(fā)明的效果
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式,能夠抑制由在過濾器元件部分產(chǎn)生的鹽酸所引起的腐蝕及應(yīng)力腐蝕破裂。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的三氯硅烷制造裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式
以下,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。此外,本說明書中只要未特別說明,則表示數(shù)值范圍的“A~B”是指“A以上(包含A且大于A)B以下(包含B且小于B)”。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社德山,未經(jīng)株式會(huì)社德山許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880060343.3/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





