[發(fā)明專利]噴淋頭及基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880060067.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111108585A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 諸成泰;樸燦用;李在鎬;張吉淳;尹暢焄;林漢俊;姜宇泳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社EUGENE科技 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京紐盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11456 | 代理人: | 許玉順;金珍花 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿道龍*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噴淋 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:
腔體,所述腔體用于對(duì)基板實(shí)施工序;
噴淋頭,所述噴淋頭設(shè)置于所述腔體的內(nèi)部且向所述基板噴射反應(yīng)氣體;以及
基座,所述基座設(shè)置于所述噴淋頭的下部且支撐所述基板;
所述噴淋頭包括:
噴淋頭本體,所述噴淋頭本體包括內(nèi)部空間和多個(gè)噴射孔,所述內(nèi)部空間從外部被供給反應(yīng)氣體,所述多個(gè)噴射孔與所述內(nèi)部空間連通而噴射所述反應(yīng)氣體;
流入板,所述流入板設(shè)置于所述內(nèi)部空間,用于將所述內(nèi)部空間劃分為流入空間及緩沖空間,所述流入板具有連通所述流入空間和所述緩沖空間的多個(gè)流入口;以及
多個(gè)調(diào)節(jié)板,分別設(shè)置于所述流入口上且可移動(dòng),根據(jù)由移動(dòng)引起的與所述流入板之間的間隔距離,限制所述反應(yīng)氣體從所述流入空間向所述緩沖空間移動(dòng)。
2.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,
所述流入板具有導(dǎo)向孔,所述導(dǎo)向孔形成于所述流入口的兩側(cè)中某一個(gè)以上;
所述調(diào)節(jié)板具有導(dǎo)向條,所述導(dǎo)向條從與所述流入板相對(duì)的一面凸出且插入所述導(dǎo)向孔,所述調(diào)節(jié)板移動(dòng)時(shí),所述導(dǎo)向條沿著所述導(dǎo)向孔移動(dòng)。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板處理裝置還包括多個(gè)電磁鐵,所述電磁鐵向所述調(diào)節(jié)板分別施加磁力來(lái)移動(dòng)所述調(diào)節(jié)板。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述腔體具備:
上部開(kāi)放的下部腔體;及
上部腔體,所述上部腔體設(shè)置于所述噴淋頭的上部而形成所述內(nèi)部空間,用于開(kāi)閉所述下部腔體的上部,與所述下部腔體一起形成對(duì)所述基板實(shí)施工序的空間;
所述電磁鐵安裝于所述上部腔體中,分別位于所述調(diào)節(jié)板的上部。
5.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板處理裝置還包括:
擴(kuò)散板,所述擴(kuò)散板設(shè)置于所述緩沖空間,將所述緩沖空間劃分為劃分空間及擴(kuò)散空間,所述擴(kuò)散板具備連通所述劃分空間和所述擴(kuò)散空間的多個(gè)擴(kuò)散孔;
所述擴(kuò)散板具備隔板,所述隔板從上部表面凸出且將所述劃分空間劃分為多個(gè)。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述流入口與劃分為多個(gè)的所述劃分空間的各區(qū)域?yàn)橐粚?duì)一對(duì)應(yīng)關(guān)系。
7.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述流入板在表面涂敷有樹(shù)脂。
8.一種噴淋頭,其特征在于,包括:
噴淋頭本體,所述噴淋頭本體包括從外部被供給反應(yīng)氣體的內(nèi)部空間及與所述內(nèi)部空間連通而噴射所述反應(yīng)氣體的多個(gè)噴射孔;
流入板,所述流入板設(shè)置于所述內(nèi)部空間,用于將所述內(nèi)部空間劃分為流入空間及緩沖空間,所述流入板具有連通所述流入空間和所述緩沖空間的多個(gè)流入口;以及
多個(gè)調(diào)節(jié)板,分別設(shè)置于所述流入口上且可移動(dòng),根據(jù)由移動(dòng)引起的與所述流入板之間的間隔距離限制所述反應(yīng)氣體從所述流入空間向所述緩沖空間移動(dòng)。
9.如權(quán)利要求8所述的噴淋頭,其特征在于,
所述流入板具備導(dǎo)向孔,所述導(dǎo)向孔形成于所述流入口的兩側(cè)中某一個(gè)以上;
所述調(diào)節(jié)板具備導(dǎo)向條,所述導(dǎo)向條從與所述流入板相對(duì)的一面凸出且插入于所述導(dǎo)向孔,所述調(diào)節(jié)板移動(dòng)時(shí),所述導(dǎo)向條沿著所述導(dǎo)向孔移動(dòng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





