[發明專利]噴淋頭及基板處理裝置

在審

• 申請號: 201880060067.0
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN111108585A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 諸成泰;樸燦用;李在鎬;張吉淳;尹暢焄;林漢俊;姜宇泳
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京紐盟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11456
• 代理人: 許玉順;金珍花

根據本發明的一實施例，基板處理裝置包括：腔體，用于對基板實施工序；噴淋頭，設置于所述腔體的內部且向所述基板噴射反應氣體；以及基座，設置于所述噴淋頭的下部且支撐所述基板；所述噴淋頭包括：噴淋頭本體，包括內部空間及多個噴射孔，所述內部空間從外部被供給反應氣體，所述多個噴射孔與所述內部空間連通而噴射所述反應氣體；流入板，設置于所述內部空間而將所述內部空間劃分為流入空間及緩沖空間，且具有連通所述流入空間和所述緩沖空間的多個流入口；以及多個調節板，分別設置于所述流入口上且可移動，可以根據由移動引起的與所述流入板之間的間隔距離，限制所述反應氣體從所述流入空間向所述緩沖空間移動。

技術領域

本發明涉及噴淋頭及基板處理裝置，更詳細地涉及可以移動多個調節板來限制反應氣體的移動的噴淋頭及基板處理裝置。

背景技術

半導體裝置在硅基板上包括很多層，這些層通過蒸鍍工序蒸鍍于基板上。這種蒸鍍工序存在幾個重要的議題，這些議題對評價所蒸鍍的膜并選擇蒸鍍方法很重要。

第一，是所蒸鍍的膜的“品質”(qulity)。這意味著組成(composition)、污染度(contamination levels)、損失度(defect density)、及機械性/電特性(mechanical andelectrical properties)。膜的組成可以根據蒸鍍條件發生變化，這對于得到特定的組成(specific composition)非常重要。

第二，是貫穿晶片的均勻的厚度(uniform thickness)。尤其是，在形成有階梯差(step)的非平面(nonplanar)形狀的圖案上部蒸鍍的膜厚度非常重要。所蒸鍍的膜的厚度是否均勻可以根據由蒸鍍于階梯部分的最小厚度除以蒸鍍于圖案上部表面的厚度的值定義的階梯覆蓋率判斷。

與蒸鍍相關的另一議題為填充空間(filling space)。這包括用包含氧化膜的絕緣膜填充金屬線路之間的間隙填充(gap filling)。設置間隙是為了對金屬線路進行物理及電絕緣。

這些議題中均勻度為與蒸鍍工序相關的重要的議題之一，不均勻的膜在金屬布線上導致高電阻(electrical resistance)，增加機械性破損的可能性。

發明內容

技術課題

本發明的目的在于，提供一種噴淋頭及基板處理裝置，其操作調節板，根據基板的部位調節反應氣體的供給量。

本發明的其它目的在于，提供一種容易調節工序均勻度的噴淋頭及基板處理裝置。

本發明的其它目的可以根據詳細的說明和附圖變得更加清楚。

課題解決方案

根據本發明的一實施例，基板處理裝置包括：腔體，所述腔體用于對基板實施工序；噴淋頭，所述噴淋頭設置于所述腔體的內部且向所述基板噴射反應氣體；以及基座，所述基座設置于所述噴淋頭的下部且支撐所述基板；所述噴淋頭包括：噴淋頭本體，所述噴淋頭本體包括內部空間和多個噴射孔，所述內部空間從外部被供給反應氣體，所述多個噴射孔與所述內部空間連通而噴射所述反應氣體；流入板，所述流入板設置于所述內部空間，用于將所述內部空間劃分為流入空間及緩沖空間，所述流入板具有連通所述流入空間和所述緩沖空間的多個流入口；以及多個調節板，分別設置于所述流入口上且可移動，根據由移動引起的與所述流入板之間的間隔距離，限制所述反應氣體從所述流入空間向所述緩沖空間移動。

所述流入板具有導向孔，所述導向孔形成于所述流入口的兩側中某一個以上；所述調節板具有導向條，所述導向條從與所述流入板相對的一面凸出且插入所述導向孔，所述調節板移動時，所述導向條沿著所述導向孔移動。

所述基板處理裝置還包括多個電磁鐵，所述電磁鐵向所述調節板分別施加磁力來移動所述調節板。