[發明專利]電容器、包含電容器的集成組合件和形成集成組合件的方法

有效

• 申請號: 201880059070.0
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN111108619B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 王國鎮;天池浩志;服部耕太
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H10N97/00
• 分類號: H10N97/00;H10B12/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種電容器，其包括：

下部柱狀部分，所述下部柱狀部分具有外表面；

上部容器部分，所述上部容器部分位于所述下部柱狀部分上方，所述上部容器部分包括內表面和外表面，所述電容器的第一電極包括所述下部柱狀部分和所述上部容器部分；

介電材料，所述介電材料襯在所述上部容器部分的所述內表面和所述外表面上并且襯在所述下部柱狀部分的所述外表面上；以及

所述電容器的第二電極，所述第二電極沿所述上部容器部分的所述內表面和所述外表面以及沿所述下部柱狀部分的所述外表面延伸，所述第二電極通過所述介電材料與所述第一電極間隔開。

2.根據權利要求1所述的電容器，其中所述下部柱狀部分具有第一高度，所述上部容器部分具有第二高度，并且所述第一高度和所述第二高度一起等于所述第一電極的總高度；并且其中所述第一高度為所述總高度的至少約一半。

3.根據權利要求1所述的電容器，其中所述下部柱狀部分具有第一高度，所述上部容器部分具有第二高度，并且所述第一高度和所述第二高度一起等于所述第一電極的總高度；并且其中所述第一高度小于所述總高度的約一半。

4.根據權利要求1所述的電容器，其中所述下部柱狀部分具有第一高度，所述上部容器部分具有第二高度，并且所述第一高度和所述第二高度一起等于所述第一電極的總高度；并且其中所述第一高度處于所述總高度的約10％到所述總高度的約75％的范圍內。

5.一種電容器，其包括：

下部柱狀部分，所述下部柱狀部分包含導電襯墊的下部部分，并且包含被所述導電襯墊的所述下部部分側向包圍的導電填充材料，所述下部柱狀部分具有沿所述導電襯墊的所述下部部分的外邊緣的外表面；

上部容器部分，所述上部容器部分位于所述下部柱狀部分上方，所述上部容器部分包括向上開口的導電容器，所述向上開口的導電容器包括對應于所述導電襯墊的上部部分的側壁，并且包括對應于所述導電填充材料的上表面的底部，所述上部容器部分具有沿所述側壁的內邊緣和沿所述導電填充材料的所述上表面的內表面，并且具有沿所述側壁的外邊緣的外表面，所述電容器的第一電極包括所述下部柱狀部分和所述上部容器部分；

介電材料，所述介電材料襯在所述上部容器部分的所述內表面和所述外表面上并且襯在所述下部柱狀部分的所述外表面上；以及

所述電容器的第二電極，所述第二電極沿所述上部容器部分的所述內表面和所述外表面以及沿所述下部柱狀部分的所述外表面延伸，所述第二電極通過所述介電材料與所述第一電極間隔開。

6.根據權利要求5所述的電容器，其中所述導電襯墊包括金屬并且所述導電填充材料包括摻雜半導體材料。

7.根據權利要求6所述的電容器，其中所述導電襯墊包括鈦并且所述導電填充材料包括摻雜硅。

8.根據權利要求7所述的電容器，其中所述導電襯墊包括TiN，其中所述化學式表明主要成分，而非表明特定化學計量。

9.根據權利要求5所述的電容器，其包括臺階，所述臺階沿所述導電襯墊靠近所述導電襯墊的所述上部部分連接到所述導電襯墊的所述下部部分的位置，所述臺階包含所述導電襯墊的所述上部部分的相對于所述導電襯墊的所述下部部分的內邊緣側向插入的區域。

10.根據權利要求9所述的電容器，其包括絕緣晶格，所述絕緣晶格直接抵靠臺階的外邊緣。