[發明專利]用于制造同質結光伏電池的方法

有效

• 申請號: 201880058748.3
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN111052408B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 拉斐爾·卡巴爾
• 申請（專利權）人: 原子能和替代能源委員會
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 謝攀;劉繼富

該方法包括以下步驟：a)提供晶體硅襯底(1)，其包括：?第一表面(10)；?第二表面(11)，其與所述第一表面(10)相對，并且覆蓋有至少一層隧道氧化膜(2)；b)在所述隧道氧化膜(2)上形成多晶硅層；c)在所述多晶硅層的一部分(3a)上形成第一防反射層(4)，使得所述多晶硅層具有自由區域，所述第一防反射層(4)適于為多晶硅層(3)的所述部分(3a)的熱氧化提供阻擋；d)使所述多晶硅層的自由區域熱氧化，以便在所述自由區域上形成第二防反射層(5)。

技術領域

本發明涉及同質結硅光伏電池的技術領域。更具體地，本發明涉及雙面光伏電池的制造，也就是說其包括：

-第一表面，其用于直接暴露于太陽輻射；

-第二相對表面，其可以例如通過漫射輻射或通過反照率效應間接接收太陽輻射。

本發明特別地在稱為“高溫”的同質結的光伏電池的制造中找到其應用，也就是說，其構成材料與在高于300℃的溫度下的熱處理的使用兼容。

背景技術

從現有技術中已知的光伏電池，特別地從以下文件已知：F.Feldmann等人的“Passivated?rear?contacts?for?high-efficiency?n-type?Si?solar?cells?providinghigh?interface?passivation?quality?and?excellent?transport?characteristics”，Solar?Energy?MaterialsSolar?Cells,120,270-274,2014(以下稱為D1)，MK?Stodolny等人的“n-Type?polysilicon?passivating?contact?for?industrial?bifacial?n-typesolar?cells”，Solar?Energy?MaterialsSolar?Cells,158,24-28,2016，(以下稱為D2)，R.Peibst等人的“Implementation?of?n+and?p+POLO?junctions?on?front?and?rearside?of?double-side?contacted?industrial?silicon?solar?cells”，32^nd?EuropeanPhotovoltaic?Solar?Energy?Conference?and?Exhibition,2016(以下簡稱D3)，所述光伏電池包括：

-晶體硅襯底，包括：

第一表面(所述前表面)，其用于暴露于太陽輻射；

第二表面(稱為背面)，其與第一表面相對，并覆蓋有氧化膜(通常稱為隧道氧化物)；

-摻雜多晶硅層，其形成在氧化膜上。

由隧道氧化物堆疊/多晶硅層限定的結構形成鈍化的接觸結構，并且與傳統的光伏電池相比，使得能夠提高光伏電池的性能，即增加開路電壓(V_oc)。

然而，如D2第3.3節所述，如果希望在摻雜多晶硅層(存在于D1和D3中)上省掉昂貴的透明導電氧化物層，這種先進的光伏電池在其工業化要求摻雜多晶硅層的相當大的厚度(大于60nm；D2提到厚度為70nm至200nm)方面并不完全令人滿意。然而，對于這樣的厚度，多晶硅層內的光子的寄生吸收通過增加通過光伏電池的短路電流(I_cc)而具有有害影響。

發明內容

本發明旨在彌補所有或部分上述缺點。

第一種解決方案可以包括：

a₀₁)提供一種晶體硅襯底，包括：

-第一表面，其用于暴露于太陽輻射；

-第二表面，其與第一表面相對，并覆蓋有隧道氧化膜；