[發明專利]用于制造同質結光伏電池的方法

有效

• 申請號: 201880058748.3
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN111052408B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 拉斐爾·卡巴爾
• 申請（專利權）人: 原子能和替代能源委員會
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 謝攀;劉繼富

1.一種用于制造光伏電池的方法，所述方法包括以下步驟：

a)提供晶體硅襯底(1)，其包括：

-第一表面(10)；

-第二表面(11)，其與所述第一表面(10)相對，并且覆蓋有至少一層隧道氧化膜(2)；

b)在所述隧道氧化膜(2)上形成多晶硅層(3)；

c)在所述多晶硅層(3)的一部分(3a)上形成第一防反射層(4)，使得所述多晶硅層(3)具有自由區域(ZL)，所述第一防反射層(4)適于為多晶硅層(3)的所述部分(3a)的熱氧化提供阻擋；

d)使所述多晶硅層(3)的自由區域(ZL)熱氧化，以便在所述自由區域(ZL)上形成第二防反射層(5)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述步驟d)在嚴格低于850℃的溫度下執行。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述步驟d)結束時形成的第二防反射層(5)是厚度為40nm至100nm的多晶硅熱氧化物。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，通過使用蒸汽來執行所述步驟d)。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述步驟b)期間形成的多晶硅層(3)具有初始厚度，并且其中在其上形成有所述第二防反射層(5)的多晶硅層(3b)在步驟d)結束的厚度嚴格小于初始厚度。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在其上形成有所述第二防反射層(5)的多晶硅層(3b)具有嚴格小于10nm的厚度。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，在所述步驟b)期間形成的多晶硅層(3)的初始厚度為60nm至90nm。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，所述多晶硅層(3)的在其上形成有第一防反射層(4)的所述部分(3a)在所述步驟d)結束時保持初始厚度。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述步驟b)期間形成的多晶硅層(3)是p型或n型摻雜的。

10.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述步驟c)期間形成的第一防反射層(4)由選自包括氧化鋁、氮化硅、氧化鈦的組中的至少一種材料制成。

11.根據權利要求1或2所述的方法，其中，覆蓋在所述步驟a)中提供的襯底(1)的第二表面(11)的隧道氧化膜(2)具有嚴格小于3nm的厚度。

12.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述步驟a)期間提供的襯底(1)和在所述步驟b)期間形成的多晶硅層(3)摻雜有相同類型的導電性。

13.根據權利要求2的方法，其中，所述步驟d)在700℃到800℃的溫度下執行。

14.根據權利要求9所述的方法，其中，所述多晶硅層(3)的摻雜劑的濃度為5×10¹⁷at.cm^-3至5×10²⁰at.cm^-3。

15.根據權利要求12所述的方法，其中，所述襯底(1)具有嚴格小于250μm的厚度。

16.根據權利要求12所述的方法，其中，所述襯底(1)具有小于200μm的厚度。