[發(fā)明專利]光子檢測(cè)裝置和光子檢測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880058409.5
• 申請(qǐng)日: 2018-07-11
• 公開（公告）號(hào): CN111406325A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸贊勇;白洙弦;樸哲右;趙錫范
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ID量子技術(shù)公司;屋里露株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/107
• 分類號(hào): H01L31/107;H01L31/02;H01L31/0232
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 段丹輝;劉久亮

本發(fā)明涉及一種光檢測(cè)效率高的光子檢測(cè)裝置，該光子檢測(cè)裝置包括：第一光接收部，該第一光接收部接收選通信號(hào)并輸出第一信號(hào)；第二光接收部，該第二光接收部接收選通信號(hào)并輸出第二信號(hào)；以及確定部，該確定部基于來自所述第一光接收部的所述第一信號(hào)和來自所述第二光接收部的所述第二信號(hào)來確定是否接收到光子，其中，光子入射到第一光接收部和第二光接收部當(dāng)中的第一光接收部上，并且第二光接收部的擊穿電壓高于第一光接收部的擊穿電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光子檢測(cè)裝置和光子檢測(cè)方法，并且具體地，涉及光檢測(cè)效率高的光子檢測(cè)裝置和光子檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

利用先進(jìn)的信息通信技術(shù)，正在開發(fā)量子密碼學(xué)通信技術(shù)。在量子密碼學(xué)通信技術(shù)中，用于檢測(cè)與單光子一樣弱的光信號(hào)的技術(shù)正變得重要。

單光子檢測(cè)裝置用于檢測(cè)諸如信號(hào)光子這樣的微弱光信號(hào)。雪崩光電二極管通常用作單光子檢測(cè)裝置的光接收元件。

當(dāng)單光子檢測(cè)裝置的雪崩光電二極管在蓋革(Geiger)模式下操作時(shí)，雪崩光電二極管會(huì)生成雪崩信號(hào)。

當(dāng)雪崩光電二極管所生成的雪崩信號(hào)不大于雪崩光電二極管的電容響應(yīng)信號(hào)時(shí)，難以僅獲得(或檢測(cè))雪崩信號(hào)。

當(dāng)單光子檢測(cè)裝置未檢測(cè)到雪崩信號(hào)時(shí)，單光子檢測(cè)裝置無法檢測(cè)到諸如單光子這樣的微弱光信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

本公開的一方面提供了光檢測(cè)效率高的光子檢測(cè)裝置和光子檢測(cè)方法。

技術(shù)解決方案

為了實(shí)現(xiàn)上述方面，根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式的一種光子檢測(cè)裝置包括：第一光接收部，該第一光接收部被配置為接收選通信號(hào)并輸出第一信號(hào)；第二光接收部，該第二光接收部被配置為接收所述選通信號(hào)并輸出第二信號(hào)；以及確定部，該確定部被配置為基于從所述第一光接收部接收到的所述第一信號(hào)和從所述第二光接收部接收到的所述第二信號(hào)來確定是否接收到光子。

具體地，被配置為接收光子的所述第一光接收部的擊穿電壓可以低于所述第二光接收部的擊穿電壓。

具體地，所述選通信號(hào)可以在有效時(shí)間段(active time period)內(nèi)保持在第一電壓，并且可以在除了所述有效時(shí)間段之外的無效時(shí)間段(non-active time period)內(nèi)保持在比所述第一電壓低的第二電壓。

具體地，所述第一電壓可以高于所述第一光接收部的擊穿電壓并且低于所述第二光接收部的擊穿電壓，或者可以高于所述第一光接收部的擊穿電壓和所述第二光接收部的擊穿電壓。

具體地，所述確定部可以基于通過將所述第一信號(hào)與相位被反相的所述第二信號(hào)組合而生成的信號(hào)來確定是否接收到光子。

具體地，所述第一信號(hào)可以包括源自光子接收的信號(hào)和源自所述第一光接收部的信號(hào)，并且所述第二信號(hào)可以包括源自所述第二光接收部的信號(hào)。

具體地，源自所述第一光接收部的信號(hào)可以為源自所述第一光接收部的電容的第一電容響應(yīng)信號(hào)，并且源自所述第二光接收部的信號(hào)可以為源自所述第二光接收部的電容的第二電容響應(yīng)信號(hào)，并且所述第一電容響應(yīng)信號(hào)可以與所述第二電容響應(yīng)信號(hào)基本相同。

具體地，所述第一光接收部中所包括的倍增層與所述第二光接收部中所包括的倍增層具有不同的厚度。

具體地，所述倍增層的厚度與所述擊穿電壓的幅度成比例，所述第二光接收部中所包括的倍增層比所述第一光接收部中所包括的倍增層厚。

具體地，所述第一光接收部中所包括的倍增層與所述第二光接收部中所包括的倍增層具有不同的直徑。

具體地，所述第二光接收部中所包括的倍增層的直徑大于所述第一光接收部中所包括的倍增層的直徑。