[發明專利]光子檢測裝置和光子檢測方法在審
| 申請號: | 201880058409.5 | 申請日: | 2018-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN111406325A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 樸贊勇;白洙弦;樸哲右;趙錫范 | 申請(專利權)人: | ID量子技術公司;屋里露株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/107 | 分類號: | H01L31/107;H01L31/02;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 段丹輝;劉久亮 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光子 檢測 裝置 方法 | ||
1.一種光子檢測裝置,該光子檢測裝置包括:
第一光接收部,該第一光接收部被配置為接收選通信號并輸出第一信號;
第二光接收部,該第二光接收部被配置為接收所述選通信號并輸出第二信號;以及
確定部,該確定部被配置為基于從所述第一光接收部接收到的所述第一信號和從所述第二光接收部接收到的所述第二信號來確定是否接收到光子,
其中,被配置為接收光子的所述第一光接收部的擊穿電壓低于所述第二光接收部的擊穿電壓。
2.根據權利要求1所述的光子檢測裝置,其中,所述選通信號在有效時間段內保持在第一電壓,并且在除了所述有效時間段之外的無效時間段內保持在比所述第一電壓低的第二電壓。
3.根據權利要求2所述的光子檢測裝置,其中,所述第一電壓高于所述第一光接收部的擊穿電壓并且低于所述第二光接收部的擊穿電壓,或者高于所述第一光接收部的擊穿電壓和所述第二光接收部的擊穿電壓。
4.根據權利要求1所述的光子檢測裝置,其中,所述確定部基于通過將所述第一信號與相位被反相的所述第二信號組合而生成的信號來確定是否接收到光子。
5.根據權利要求1所述的光子檢測裝置,其中,
所述第一信號包括源自光子接收的信號和源自所述第一光接收部的信號,并且
所述第二信號包括源自所述第二光接收部的信號。
6.根據權利要求5所述的光子檢測裝置,其中,
源自所述第一光接收部的信號為源自所述第一光接收部的電容的第一電容響應信號,并且
源自所述第二光接收部的信號為源自所述第二光接收部的電容的第二電容響應信號,并且
所述第一電容響應信號與所述第二電容響應信號基本相同。
7.根據權利要求1所述的光子檢測裝置,其中,所述第一光接收部中所包括的倍增層與所述第二光接收部中所包括的倍增層具有不同的厚度。
8.根據權利要求7所述的光子檢測裝置,其中,所述倍增層的厚度與所述擊穿電壓的幅度成比例,所述第二光接收部中所包括的倍增層比所述第一光接收部中所包括的倍增層厚。
9.根據權利要求7所述的光子檢測裝置,其中,所述第一光接收部中所包括的倍增層與所述第二光接收部中所包括的倍增層具有不同的直徑。
10.根據權利要求9所述的光子檢測裝置,其中,所述第二光接收部中所包括的倍增層的直徑大于所述第一光接收部中所包括的倍增層的直徑。
11.根據權利要求1所述的光子檢測裝置,所述光子檢測裝置包括基板,所述第一光接收部和所述第二光接收部形成在所述基板上。
12.根據權利要求11所述的光子檢測裝置,其中,所述第一光接收部和所述第二光接收部位于所述基板的第一表面上。
13.根據權利要求12所述的光子檢測裝置,所述光子檢測裝置還包括阻擋膜,所述阻擋膜位于所述基板的與所述基板的所述第一表面面對的第二表面上。
14.根據權利要求13所述的光子檢測裝置,其中,所述阻擋膜包括透射孔,該透射孔被設置成與所述第一光接收部對應。
15.根據權利要求14所述的光子檢測裝置,所述光子檢測裝置還包括抗反射膜,該抗反射膜設置在所述透射孔中。
16.根據權利要求12所述的光子檢測裝置,其中:
所述基板的所述第一表面包括第一區域和第二區域,所述第一區域和所述第二區域由在所述第一光接收部和所述第二光接收部之間的元件分離槽分隔開;并且
所述第一光接收部位于所述第一區域中并且所述第二光接收部位于所述第二區域中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





