[發明專利]太陽能電池的制造方法、太陽能電池以及太陽能電池模塊有效
| 申請號: | 201880058091.0 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN111095571B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發明(設計)人: | 入江暢;吉田航;吉河訓太 | 申請(專利權)人: | 株式會社鐘化 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務所 11323 | 代理人: | 權鮮枝;劉寧軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 以及 模塊 | ||
提供抑制電極層間的漏電流的增加、抑制填充因子的下降的太陽能電池的制造方法。太陽能電池的制造方法是背面電極型的太陽能電池(1)的制造方法,太陽能電池(1)具備:半導體基板(11),其在背面側具有凹凸結構;第1導電型半導體層(25)和第1電極層(27),其層疊在半導體基板(11)的背面側;以及第2導電型半導體層(35)和第2電極層(37),太陽能電池(1)的制造方法包含:電極材料膜形成工序,在第1導電型半導體層(25)和第2導電型半導體層(35)上,使用物理氣相生長法形成電極材料膜;以及圖案化工序,進行將電極材料膜的一部分除去的圖案化,以在Y方向上延伸并且在與Y方向交叉的X方向上排列的方式形成帶狀的第1電極層(27)和第2電極層(37),在電極材料膜形成工序中,一邊在X方向上搬運半導體基板(11),一邊形成電極材料膜。
技術領域
本發明涉及背面電極型(背面接觸型;Back?contact?type)的太陽能電池的制造方法、太陽能電池以及具備該太陽能電池的太陽能電池模塊。
背景技術
作為使用了半導體基板的太陽能電池,有在受光面側和背面側這兩個面形成有電極的雙面電極型的太陽能電池、以及僅在背面側形成有電極的背面電極型的太陽能電池。在雙面電極型的太陽能電池中,由于在受光面側形成電極,因此,太陽光會被該電極遮擋。而在背面電極型的太陽能電池中,由于在受光面側不形成電極,因此,與雙面電極型的太陽能電池相比,太陽光的受光率高。在專利文獻1中公開了背面電極型的太陽能電池。
專利文獻1所述的太陽能電池具備:半導體基板,其作為光電轉換層發揮功能;第1導電型半導體層和第1電極層,其按順序層疊在半導體基板的背面側的一部分;以及第2導電型半導體層和第2電極層,其按順序層疊在半導體基板的背面側的另一部分。在該太陽能電池中,為了減少入射光的反射,提高半導體基板中的光封閉效果,在半導體基板的受光面側具有被稱為紋理(Texture)結構的金字塔形的微細的凹凸結構。另外,在該太陽能電池中,為了提高未被吸收而通過了半導體基板的光的回收效率,在半導體基板的背面側(電極形成面側)具有同樣的凹凸結構(紋理結構)。
專利文獻1:國際公開第2016/114371號
發明內容
在這種太陽能電池中,例如使用濺射法等物理氣相生長法(PVD)作為第1電極層和第2電極層的形成方法。具體來說,在層疊于半導體基板的背面側的第1導電型半導體層和第2導電型半導體層上,使用物理氣相生長法形成電極材料膜(電極材料膜形成工序),然后,使用光刻法等進行將電極材料膜的一部分除去的圖案化,形成相互分離的第1電極層和第2電極層(圖案化工序)。
這樣,在使用了背面側具有凹凸結構(紋理結構)的半導體基板的背面電極型的太陽能電池中,當使用物理氣相生長法形成第1電極層和第2電極層時,有時第1電極層與第2電極層之間的漏電流會增加,填充因子會下降。
本發明的目的在于,提供抑制電極層間的漏電流的增加、抑制填充因子的下降的太陽能電池的制造方法、太陽能電池以及具備該太陽能電池的太陽能電池模塊。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





