[發(fā)明專利]基板支撐裝置及基板處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880056422.7 | 申請日: | 2018-08-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111066138B | 公開(公告)日: | 2023-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金鐘植;申鉉昱;李受娟 | 申請(專利權(quán))人: | 周星工程股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支撐 裝置 處理 設(shè)備 | ||
1.一種基板處理設(shè)備的基板支撐裝置,所述基板支撐裝置包括:
圓盤;以及
多個(gè)基板支撐部,所述多個(gè)基板支撐部從所述圓盤的中心徑向布置,基板由所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部支撐,
其中,所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部的上表面比所述圓盤的上表面更向上突出,
所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部包括從每個(gè)基板支撐部的下表面向每個(gè)基板支撐部下方的下部突出的定心構(gòu)件,
所述定心構(gòu)件中的每個(gè)定心構(gòu)件被設(shè)置為具有隨著相應(yīng)的定心構(gòu)件逐漸向所述下部突出而減小的直徑,
所述圓盤包括:多個(gè)插入部,所述定心構(gòu)件分別插入到所述多個(gè)插入部中;以及多個(gè)支撐表面,所述多個(gè)支撐表面支撐分別插入到所述多個(gè)插入部中的所述定心構(gòu)件,
所述多個(gè)支撐表面中的每個(gè)支撐表面被傾斜地設(shè)置為具有隨著相應(yīng)的支撐表面逐漸延伸到所述下部而減小的直徑,
所述圓盤包括:多個(gè)插入部,所述多個(gè)基板支撐部分別插入到所述多個(gè)插入部中;以及多個(gè)對準(zhǔn)凹槽,所述多個(gè)對準(zhǔn)凹槽設(shè)置在所述多個(gè)插入部中的每個(gè)插入部的外側(cè),
所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部包括從每個(gè)基板支撐部的下表面突出的多個(gè)對準(zhǔn)突起,
當(dāng)所述多個(gè)對準(zhǔn)突起分別被插入到所述多個(gè)對準(zhǔn)凹槽中時(shí),所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部被可拆卸地耦接到所述圓盤,并且
所述多個(gè)對準(zhǔn)突起中的每個(gè)對準(zhǔn)突起的尺寸在向下方向上減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置,其中,所述圓盤的上表面與所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部的上表面之間的高度差大于3mm且小于30mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置,其中,所述多個(gè)基板支撐部從所述圓盤可拆卸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置,其中,所述多個(gè)插入部從所述圓盤的所述中心徑向布置,
其中,所述多個(gè)插入部中的一個(gè)插入部被可拆卸地連接到所述多個(gè)基板支撐部中的一個(gè)基板支撐部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置,其中,所述多個(gè)插入部從所述圓盤的所述中心徑向布置,
其中,所述多個(gè)基板支撐部中的一個(gè)基板支撐部被分配給所述多個(gè)插入部中的每個(gè)插入部,并且所述一個(gè)基板支撐部的一部分被插入到相應(yīng)的插入部中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置,其中,所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部的中心設(shè)置在所述圓盤的所述中心的同心圓中。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的基板支撐裝置,其中,
所述多個(gè)插入部中的每個(gè)插入部設(shè)置成在所述圓盤的上表面具有第一內(nèi)徑并且在所述圓盤的下表面具有第二內(nèi)徑,并且
所述第一內(nèi)徑大于所述第二內(nèi)徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置,其中,
N個(gè)對準(zhǔn)突起被設(shè)置在所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部中,其中N是大于1的整數(shù),
N個(gè)或2N個(gè)對準(zhǔn)凹槽被設(shè)置在所述圓盤中的所述多個(gè)插入部中的每個(gè)插入部的外側(cè),并且
所述多個(gè)對準(zhǔn)突起設(shè)置成相對于所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部的中心以相同的角度彼此間隔開,并且所述多個(gè)對準(zhǔn)突起基于相對于所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部的中心執(zhí)行的旋轉(zhuǎn)的角度,被插入到不同的對準(zhǔn)凹槽中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置,其中,所述多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)基板支撐部包括:中心部分,所述中心部分支撐所述基板的下表面;以及外部臺(tái)階部分,所述外部臺(tái)階部分支撐所述基板的側(cè)表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐裝置,其中,
至少一個(gè)氣體流路設(shè)置在所述外部臺(tái)階部分中,并且
所述氣體流路與所述外部臺(tái)階部分的內(nèi)部和所述圓盤的所述上表面中的每一者連通。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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