[發明專利]帶應力引導材料的集成電路封裝件有效
| 申請號: | 201880053782.1 | 申請日: | 2018-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN111033704B | 公開(公告)日: | 2023-10-20 |
| 發明(設計)人: | B·S·庫克;D·L·瑞維爾 | 申請(專利權)人: | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/28;H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 李尚穎 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應力 引導 材料 集成電路 封裝 | ||
1.一種包封的集成電路,其包括:
集成電路管芯即IC管芯;以及
包封所述IC管芯的包封材料,其中所述包封材料的第一部分是實心的,并且所述包封材料的第二部分包括填充有第二材料的空間。
2.根據權利要求1所述的包封的集成電路,其中所述第二材料是氣體或真空。
3.根據權利要求1所述的包封的集成電路,其中所述包封材料的所述第二部分被成形為與所述IC管芯的第一區域接觸并且不與所述IC管芯的第二區域接觸。
4.根據權利要求1所述的包封的集成電路,其中所述包封材料的所述第二部分填充有N種不同類型的所述第二材料。
5.根據權利要求4所述的包封的集成電路,其中所述包封材料的所述第二部分被配置為互連空間的晶格,并且每個空間填充有所述N種不同類型的所述第二材料中的一種。
6.根據權利要求1所述的包封的集成電路,其中所述包封材料的所述第二部分內的所述空間是球形的。
7.根據權利要求1所述的包封的集成電路,其中所述包封材料的所述第二部分內的所述空間是非球形的。
8.根據權利要求1所述的包封的集成電路,其中所述包封材料的所述第二部分形成應力引導結構,所述應力引導結構具有耦合到所述IC管芯中的電路部件的頂點。
9.根據權利要求1所述的包封的集成電路,進一步包括導熱墊,其中所述IC管芯的一側被附連到所述導熱墊。
10.根據權利要求1所述的包封的集成電路,進一步包括:導熱墊;以及一層包封材料的所述第二部分,其包括填充有所述第二材料的空間并且覆蓋所述導熱墊的表面;其中所述IC管芯的一側被附連到所述一層包封材料的所述第二部分。
11.根據權利要求10所述的包封的集成電路,其中所述一層包封材料的所述第二部分具有:填充有導熱材料的一部分空間;以及填充有絕熱材料的另一部分空間。
12.一種包封集成電路的方法,所述方法包括:
將集成電路管芯即IC管芯附連到導線框架;以及
通過增材工藝包封所述IC管芯以在包封材料中形成應力引導結構,其中所述包封材料的第一部分是實心的,并且所述包封材料的第二部分包括填充有第二材料的空間。
13.根據權利要求12所述的方法,進一步包括將所述包封材料的所述第二部分成形為與所述IC管芯的第一區域接觸并且不與所述IC管芯的第二區域接觸。
14.根據權利要求12所述的方法,進一步包括用N種不同類型的所述第二材料填充所述包封材料的所述第二部分。
15.根據權利要求14所述的方法,進一步包括將所述包封材料的所述第二部分形成為互連空間的晶格,其中每個空間填充有所述N種不同類型的所述第二材料中的一種。
16.根據權利要求12所述的方法,其中包封所述IC管芯包括形成應力引導結構,所述應力引導結構具有耦合到所述管芯的電路部件的頂點。
17.根據權利要求12所述的方法,其中包封所述IC管芯包括在所述導線框架上形成包括填充有第二材料的空間的一層所述包封材料的所述第二部分,并且然后將所述IC管芯附連到所述一層所述包封材料的所述第二部分。
18.一種包封的集成電路,其包括:
集成電路管芯即IC管芯;以及
包封所述IC管芯的包封材料,其中所述包封材料的第一部分是實心的,并且所述包封材料的第二部分包括填充有第二材料的互連空間的晶格。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





