[發(fā)明專利]在所有溫度下具有低翹曲的雙面扇出封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880053651.3
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN111052370A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·H·育;M·E·塔特爾
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/528;H01L23/31;H01L23/485
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

再分布結(jié)構(gòu)，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，其中所述第一表面包含數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)及數(shù)個(gè)第二導(dǎo)電接點(diǎn)，其中所述第二表面包含數(shù)個(gè)第三導(dǎo)電接點(diǎn)，且其中所述第一導(dǎo)電接點(diǎn)及所述第三導(dǎo)電接點(diǎn)通過穿過絕緣材料及/或在絕緣材料上延伸的導(dǎo)線來電耦合到所述第二導(dǎo)電接點(diǎn)中的對應(yīng)者；

第一半導(dǎo)體裸片，其位于所述再分布結(jié)構(gòu)的所述第一表面處且電耦合到所述第一導(dǎo)電接點(diǎn)；

第二半導(dǎo)體裸片，其位于所述再分布結(jié)構(gòu)的所述第二表面處且電耦合到所述第三導(dǎo)電接點(diǎn)；

第一模制材料，其位于所述第一表面上，所述第一模制材料至少部分囊封所述第一半導(dǎo)體裸片；

第二模制材料，其位于所述第二表面上，所述第二模制材料至少部分囊封所述第二半導(dǎo)體裸片；及

數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱，其延伸穿過所述第一模制材料且電耦合到所述第二導(dǎo)電接點(diǎn)中的對應(yīng)者。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一半導(dǎo)體裸片及所述第二半導(dǎo)體裸片關(guān)于所述再分布結(jié)構(gòu)反射對稱。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一模制材料與所述第二模制材料相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一模制材料的熱膨脹系數(shù)大體上等于所述第二模制材料的熱膨脹系數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一模制材料的體積大體上等于所述第二模制材料的體積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一模制材料完全囊封所述第一半導(dǎo)體裸片，且其中所述第二模制材料完全囊封所述第二半導(dǎo)體裸片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電柱具有至少與所述第一半導(dǎo)體裸片的最上表面與所述再分布結(jié)構(gòu)的所述第一表面之間的距離一樣大的高度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電柱各自具有從所述第一模制材料暴露的端部分且所述端部分共同界定第四導(dǎo)電接點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包括安置于所述第四導(dǎo)電接點(diǎn)上的數(shù)個(gè)導(dǎo)電特征。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電特征是焊球及焊料凸塊中的至少一者。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一表面包含所述第一半導(dǎo)體裸片下方的第一裸片附著區(qū)域，其中所述第二表面包含所述第二半導(dǎo)體裸片下方的第二裸片附著區(qū)域，其中所述第一導(dǎo)電接點(diǎn)位于所述第一裸片附著區(qū)域中且所述第三導(dǎo)電接點(diǎn)位于所述第二裸片附著區(qū)域中，且其中所述第二導(dǎo)電接點(diǎn)位于所述第一裸片附著區(qū)域外。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二接點(diǎn)中的至少第一者比與所述第二接點(diǎn)中的所述第一者電耦合的所述對應(yīng)第一接點(diǎn)更與所述第一半導(dǎo)體裸片橫向間隔，且其中所述第二接點(diǎn)中的至少第二者比與所述第二接點(diǎn)中的所述第二者電耦合的所述對應(yīng)第三接點(diǎn)更與所述第二半導(dǎo)體裸片橫向間隔。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一表面與所述第二表面之間的所述再分布結(jié)構(gòu)的厚度小于約50μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述再分布結(jié)構(gòu)是第一再分布結(jié)構(gòu)，且所述半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括所述第一模制材料的至少一部分上的第二再分布結(jié)構(gòu)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述再分布結(jié)構(gòu)不包含預(yù)成形襯底。